PMPB07R0UNX
PMPB07R0UNX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.6A（Ta） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 11.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020M-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1696pF @ 10V |
PMPB07R0UNX手册
PMPB07R0UNX概述
PMPB07R0UNX 产品概述
PMPB07R0UNX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 TrenchMOS™ 系列。这款场效应管为现代电子电路设计提供了杰出的性能，适用于电源管理、负载开关以及其他高效能应用。
关键特点
高电流承载能力
PMPB07R0UNX 在 25°C 条件下的连续漏极电流 (Id) 达到 11.6A，这使得该 MOSFET 能够广泛应用于需要处理较大电流的电路中。低导通电阻
在 4.5V 的栅源电压 (Vgs) 下，PMPB07R0UNX 的导通电阻最大值为 9 毫欧，这一特性确保了在导通状态下的能量损耗非常低，从而提高了整体系统的能效。宽工作温度范围
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合在不同环境条件下的应用，尤其是汽车电子、工业控制和军事领域。高电压耐受性
PMPB07R0UNX 的漏源电压 (Vdss) 最大可以承受 20V，保证了在通过电流时的稳定性与可靠性。超低栅极电荷
此器件在 4.5V 下的栅极电荷最大为 30nC，这一特性能够提高开关速度，从而减少了切换损失。
封装与安装
PMPB07R0UNX 采用 6-UDFN 裸露焊盘封装，其紧凑的尺寸和表面贴装（SMD）设计使得在现代电子设计中易于集成，适合高密度电路板布局。该封装能够有效散热，支持其在高性能工作条件下长时间稳定运行。
应用场景
由于其卓越的电气性能和极高的热管理能力，PMPB07R0UNX 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：适用于 DC-DC 转换器、开关电源以及电池管理系统，实现高效能的电流控制和调节。
负载开关：可作为负载开关使用，提供稳定、可靠的电流路径，保障系统的安全运行。
逆变器：在太阳能逆变器和电动机驱动应用中，PMPB07R0UNX 提供了必要的开关能力，提高系统效率。
汽车电子：能够承受汽车工作环境中的严酷条件，非常适合在汽车电力控制系统中的应用如智能电动门、灯光控制等。
总结
总的来说，PMPB07R0UNX 是一款性能极为优越的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电流承载能力、超低导通电阻、极宽的工作温度范围以及高电压耐受性，成为诸多要求高效能与可靠性的应用场景的理想选择。在现代电子设计中，选用 PMPB07R0UNX 能够显著提升产品的性能与稳定性。