NX7002BKSX 产品实物图片
NX7002BKSX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NX7002BKSX

商品编码: BM0089665212
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TSSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.014g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 310mW 60V 270mA 1个N沟道 TSSOP-6-1.3mm
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.283
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.283
--
200+
¥0.282
--
1500+
¥0.281
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX7002BKSX参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)310mW(Ta),1.67W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装6-TSSOP
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363漏源电压(Vdss)60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23.6pF @ 10V

NX7002BKSX手册

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NX7002BKSX概述

NX7002BKSX 产品概述

产品基本信息

NX7002BKSX 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件设计用于高效能和高密度的电子应用,特别适合于需要切换和功率放大的电路。NX7002BKSX 以其优异的电气特性和高度的可靠性而受到广泛欢迎,适用于各种现代电子设备。

主要特性

  • 额定电流和电压:在 25°C 条件下,NX7002BKSX 可以支持连续漏极电流(Id)高达 270mA,而漏源电压(Vdss)可承受最高 60V。这使得该 MOSFET 能够在各种低到中等功率的应用中取得出色的表现。
  • 导通电阻:器件在不同电流和栅极驱动下具有不同的导通电阻(Rds On)。例如,当 Vgs 为 10V 且 Id 为 200mA 时,最大导通电阻为 2.8欧姆。这一特性使得 NX7002BKSX 特别适合高效能的开关电路,降低功耗并提高转换效率。
  • 栅极阈值电压:NX7002BKSX 的 Vgs(th) 最大值为 2.1V,这意味着在此电压水平下,MOSFET 能够稳定地导通,非常适合低电压驱动应用。
  • 输入与栅极电荷特性:与输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg)有关的参数表明,该 MOSFET 在 10V 驱动时,输入电容最大为 23.6pF,栅极电荷最大值为 1nC。这使得它在快速开关操作时表现出色,适用于高频率应用。

工作温度范围

NX7002BKSX 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,这使得它能够在极端环境下正常工作,适用于工业、汽车及航空航天等领域的可靠应用。

封装和安装类型

NX7002BKSX 采用 6-TSSOP 封装(表面贴装型),其小巧的尺寸(1.3mm 高度)使其非常适合需要节省空间的现代电路设计。此外,其卷带包装形式为自动化生产提供了便利,能够提高生产效率。

应用领域

NX7002BKSX 适用于多种电子应用,具体包括但不限于:

  • 开关电源:在电源管理和电源转换器中充当开关元件,提高能量转化效率。
  • 负载开关:用作负载控制设备,如电机驱动、LED 驱动和其他负载控制电路,能够有效地控制电源的接通和断开。
  • 高频应用:由于其低开关损耗和高开关频率,NX7002BKSX 特别适合应用于 RF 发射机、信号放大器等高频设备。

总结

NX7002BKSX 是一款功能全面的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和宽广的工作环境适应性,在众多领域展现出优异的性能。其小型的 TSSOP 封装设计和高效的电流控制能力,使得 NX7002BKSX 成为现代电子设计中不可或缺的重要元件,为工程师提供了充足的灵活性和创新空间。无论是在工业用电源管理还是消费类电子产品中,这款 MOSFET 都能实现高效率的电力控制,满足多种应用的需求。