PMXB120EPEZ
PMXB120EPEZ参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），8.3W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1010D-3 |
| 封装/外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 309pF @ 15V |
PMXB120EPEZ手册
PMXB120EPEZ概述
PMXB120EPEZ 产品概述
一、基础信息
PMXB120EPEZ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 源场效应管 (MOSFET)，特别适用于现代电子产品中的功率管理和开关应用。该器件采用 DFN1010D-3封装，具备出色的热性能和电气特性，使其在紧凑空间中也能高效工作。
二、关键参数
FET 类型：P 通道 MOSFET，设计用于在负载电流控制和电源管理中发挥重要作用。
最大漏极电流 (Id)：在 25°C 时，支持高达 2.4A 的连续漏极电流，适合多种电源控制应用。
驱动电压：该器件在 4.5V 和 10V 的驱动电压下具有不同的 Rds(on) （导通电阻），保证提供足够的电流驱动能力。
导通电阻：在 2.4A 和 10V 的条件下，最大导通电阻为 120 毫欧，提供低损耗和高效率的电源切换。
阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 2.5V，这使得该 MOSFET 在较低的栅极驱动电压下也能迅速打开。
栅源电压 (Vgs) 的规格：该器件可承受 ±20V 的栅源电压，增强了器件的稳定性和可靠性。
功率耗散：在环境温度（Ta）为 25°C 的情况下，最大允许功率耗散为 400mW，而在结温的情况下则可达 8.3W，使其在高功率应用中表现卓越。
工作温度范围：其工作温度范围宽广，从 -55°C 至 150°C，适用于严苛的工作环境。
封装类型：采用表面贴装型（SMD）DFN1010D-3 封装，适合现代高密度的电路板设计并便于自动化焊接。
三、应用场景
PMXB120EPEZ 可广泛应用于多种场景中，如：
- 电源管理：在电源转换、电压调节和电池管理系统中，利用其低 Rds(on) 特性，提高能量转换效率，降低发热。
- 开关电路：适用于开关电源、DC-DC 转换器等电路中，实现精准的电流控制和开关功能。
- 消费电子产品：在手机、平板电脑以及其他小型电子设备中用作负载开关，为电流提供高效的控制。
- 汽车电子：在汽车的电源控制和信号调节应用中，以其高温工作能力和可靠性满足车辆的需求。
四、优点
- 高效率：低导通电阻和低栅极电荷使得 PMXB120EPEZ 在开关频率较高的应用中表现卓越，有效减少能量损耗。
- 高可靠性：广泛的工作温度范围和较高的功耗承受能力确保其在恶劣环境中可靠运行。
- 紧凑设计：DFN 封装使得该器件非常适合空间紧凑的应用，满足现代电子产品对小型化的要求。
五、总结
PMXB120EPEZ 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、宽广的工作温度范围和高效的功率管理能力，成为现代电子设备的理想选择。无论是在高频开关应用还是在高温环境中，PMXB120EPEZ 都能提供可靠的解决方案，为设计师提供更多的灵活性和设计自由度。通过该器件，可以实现更高效的能量利用，提升电子产品的整体性能与可靠性。