BZT52H-C11,115 产品实物图片
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BZT52H-C11,115

商品编码: BM0089665178
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-123F
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
稳压二极管 独立式 11V 10.4V~11.6V 100nA@8V SOD-123F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.26
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.26
--
200+
¥0.167
--
1500+
¥0.146
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZT52H-C11,115参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)11V容差±5%
功率 - 最大值375mW阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 8V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F供应商器件封装SOD-123F

BZT52H-C11,115手册

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BZT52H-C11,115概述

BZT52H-C11,115 产品概述

产品简介

BZT52H-C11,115 是由安世半导体(Nexperia)制造的一款稳定的齐纳二极管,专用于电压稳压和过压保护应用。它具有额定的齐纳电压为11V,适合在各种电子设备中使用,确保系统在不同工作条件下的稳定性和安全性。采用表面贴装型(SMD)封装,符合现代PCB设计的需求,便于自动化生产和高密度安装。

基础参数

  • 齐纳电压(Vz): 11V,提供稳定的参考电压。
  • 容差: ±5%,确保在应用中可以满足电压精度要求。
  • 功率最大值: 375mW,支持较高的功率处理能力,以满足多种电力需求。
  • 阻抗(Zzt): 10Ω,具有低内阻,能快速响应瞬态电压变化。
  • 反向泄漏电流: 100nA @ 8V,表明二极管在反向阻断状态下的漏电流非常低,适合高灵敏度电路。
  • 正向电压(Vf): 900mV @ 10mA,在正向导通时具有较低的导通电压,进一步减少功耗。
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C,该范围保证了在极端的环境条件下仍能稳定工作。
  • 封装类型: SOD-123F,紧凑的封装使其适用于空间限制较小的电子产品。

应用领域

BZT52H-C11,115 齐纳二极管广泛应用于各种电子电路中,尤其适合以下几种场景:

  1. 电源管理: 常用于电源模块中的过压保护和电压稳压,确保设备即使在电压波动的环境下也能正常工作。
  2. 信号调理: 在信号处理电路中,齐纳二极管可用于限制输入信号电压,防止信号电压过高导致器件损坏。
  3. 通信设备: 在数据通信系统中,用作电压参考和保护电路,以确保信号的完整性和设备的安全。
  4. 消费电子: 在电视机、电脑和其他消费类电子产品中,用于提供稳定的电源电压,提高产品的可靠性。

特性与优势

  • 高可靠性: 安世半导体凭借其严格的生产标准和质量控制,确保每个BZT52H-C11,115 二极管的可靠性,适合各种高要求的应用场景。
  • 空间节省: SOD-123F封装尺寸小,使得在高密度布局的电路板上得以灵活安装,节省空间,同时提高设计的紧凑性。
  • 低功耗: 由于其低泄漏电流和导通电压,能有效降低电路中的功耗,提升系统的整体能效。
  • 广泛的适用范围: -65°C到150°C的工作温度范围让该器件适应于汽车、工业控制和高温环境下的应用。

结论

综上所述,BZT52H-C11,115 齐纳二极管是一款性能优越、可靠性高的电子元器件,适用于电源管理、信号保护和各种电子设备中的稳压应用。凭借其合理的参数和广泛的应用领域,BZT52H-C11,115 是设计工程师在选择稳压解决方案时的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制领域,该器件都能为产品的性能稳定性和安全性提供有力保障。