BZT52H-C13,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZT52H-C13,115

商品编码: BM0089665176
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-80 QuadroMELF
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Diode Zener Single 13V 5% 830mW 2-Pin SOD-123F T/R
库存 :
2410(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.747
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.747
--
200+
¥0.249
--
1500+
¥0.156
--
3000+
¥0.107
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZT52H-C13,115参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)13V容差±5%
功率 - 最大值375mW阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 8V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F供应商器件封装SOD-123F

BZT52H-C13,115手册

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BZT52H-C13,115概述

产品概述: BZT52H-C13,115

一、基本信息

BZT52H-C13,115 是一种高性能齐纳二极管,设计用于电压调节和过电压保护应用。该二极管具有标称齐纳电压为13V的特性,适用于需要在稳压电压下操作的各种电子电路。

二、规格参数

1. 齐纳电压(Vz): 13V
BZT52H-C13,115 具备稳定的齐纳电压,适合用于电源参考和电压保护电路。

2. 容差: ±5%
在给定的工作条件下,该器件的电压容差为±5%,确保了其在不同环境下依然能够提供相对准确的电压调节。

3. 最大功率消耗: 375mW
该二极管的最大功率为375毫瓦,这使得它能够承受较高的功率负荷,适用于多种高功率应用。

4. 最大阻抗(Zzt): 10Ω
在反向击穿状态下,BZT52H-C13,115 的最大阻抗非常低,能有效减少在电流变化时的电压波动,提供更稳定的工作电压。

5. 反向泄漏电流: 100nA @ 8V
在8V的工作电压下,反向泄漏电流仅为100nA,显示出该二极管优秀的电气特性,确保在关闭状态下的能耗甚微。

6. 正向电压(Vf): 900mV @ 10mA
在10mA的正向电流下,其正向电压为900mV,确保二极管在开通时的导通特性良好。

7. 工作温度: -65°C ~ 150°C
BZT52H-C13,115 的广泛工作温度范围使得它能在极端环境下稳定工作,适合航空航天、汽车和工业设备等需要高可靠性的应用。

8. 安装类型: 表面贴装型
采用表面贴装技术(SMT),为现代电子组装提供了便利,能够节省空间并提高生产效率。

9. 封装类型: SOD-123F
这种小型封装设计使得 BZT52H-C13,115 适合高密度电路板,并且通用性强,使其在各种应用中表现出色。

三、应用场景

BZT52H-C13,115 适用于多种电子应用,包括:

  1. 电源供应: 作为电源模块中的电压参考或稳压组件。
  2. 过电压保护: 保护敏感器件免受瞬时过电压或浪涌电流的损害。
  3. 信号整形: 在信号处理中用于限制电压,以保护后续电路。
  4. LED驱动电路: 为LED驱动芯片提供稳定的工作电压,防止LED过流过压损坏。

四、总结

BZT52H-C13,115 是一款功能强大且可靠的齐纳二极管,其独特的电气特性和广泛的适用性使其能够满足现代电子设计的各种需求。该产品不仅在电压调节和过电压保护中表现出色,同时也适合在恶劣环境下长期工作,是电子工程师和设计师实现高性能产品的重要选择。无论是在一般消费电子、通信设备,还是在复杂的工业系统中,BZT52H-C13,115 都能提供优异的性能和出色的可靠性。