PMZB670UPE,315
PMZB670UPE,315参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta），2.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006B-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.14nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 87pF @ 10V |
PMZB670UPE,315手册
PMZB670UPE,315概述
PMZB670UPE,315 产品概述
PMZB670UPE,315 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术，专为需要高效率及小尺寸的电子应用而设计。这款 MOSFET 在高频率、小信号和大功率电路中表现出色，广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等多个领域。
基本参数与特点
PMZB670UPE,315 的主要参数如下：
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，电流可达 680mA，适用于多种低功耗应用。
- 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 4.5V 时，最大导通电阻为 850毫欧，确保在开关状态下低损耗。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大峰值为 1.3V，适合多种逻辑电平控制。
- 驱动电压: 支持 1.8V 和 4.5V 的驱动电压，灵活匹配不同的逻辑电平。
- 封装类型: 采用 DFN-1006B-3 封装，表面贴装设计，适应最紧凑的电路设计需求。
性能与应用场景
PMZB670UPE,315 的闪光点在于其宽广的工作温度范围，操作温度可从 -55°C 到 150°C，保证了其在极端环境条件下的稳定性。这使得该器件非常适合军事、航空航天及工业自动化等要求苛刻的应用场合。
此外，最大漏源电压 (Vdss) 达到 20V，进一步增加了其在高压环境下的适用性。加上其较低的输入电容 (Ciss 最大值为 87pF @ 10V) 和栅极电荷 (Qg 最大值为 1.14nC @ 4.5V)，使得该产品在快速开关应用中表现优异，能够显著降低开关损耗，提高系统效率。
设计与集成
PMZB670UPE,315 的 DFN-1006B-3 封装设计不仅有效节省了电路板空间，也简化了自动化贴片工艺。并且，该器件的卷带（TR）包装使得其在生产过程中便于自动配送和装配，提高了整体生产效率。
这种 MOSFET 的表面贴装特性使其特别适合于便携式设备的应用，包括智能手机、平板电脑以及其他消费类电子产品等。同时，它也非常适合用于 DC-DC 转换器、马达驱动器及LED驱动电源等领域，为设计师提供了更高的灵活性。
结论
综上所述，PMZB670UPE,315 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能和广泛的工作温度范围，成为众多电子应用的理想选择。无论是在高频开关电源、负载驱动还是其它高效电路中，其表现都将大大提升系统的整体性能。Nexperia 提供的这一器件将为电路设计师带来更大的自由度和灵活性，助力其在不断发展的电子设备市场中，满足日益增长的性能需求。