IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 300µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 112W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD60R400CEAUMA1手册
IPD60R400CEAUMA1概述
IPD60R400CEAUMA1 产品概述
一、产品简介
IPD60R400CEAUMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其在电源管理、开关电源以及大功率电力电子应用中具有显著的优势。该器件的最高漏源电压为600V，具有较高的连续漏极电流能力（14.7A），并且其导通电阻在较高电流下表现优异，提供了高效的电能转换能力。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET支持高达600V的漏源电压，适用于高压应用场合，可以有效地处理电力转换过程中的高电压需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，其连续漏极电流可达到14.7A（Tc），这一参数使其在电源转换及驱动应用中具备良好的电流承载能力。
导通电阻（Rds(on)）: 在3.8A和10V的情况下，其导通电阻最大值为400毫欧，意味着在工作时的能量损耗较低，有助于提高系统整体的能效。
栅极驱动电压（Vgs）: 该产品的驱动电压范围设定为10V，有助于在不同的电源条件下实现良好的开关性能。同时，Vgs的最大值为±20V，确保了其在多种应用环境下的稳定运行。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为3.5V，此参数直接影响器件导通的精准度和开关特性。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为32nC，提供了较快的开关速度，能够在高频应用中表现出色。
功率耗散: 最大功率耗散达到112W（Tc），这使得该MOSFET能够在大功率环境中处理较高的功率，而不会轻易过热。
工作温度: 工作温度范围为-40°C至150°C，极大地扩展了该器件的操作环境，适合于高温和低温的应用场景。
三、封装信息
IPD60R400CEAUMA1采用TO-252-3（DPAK）封装，具有表面贴装特性，能够提供更小的占板面积，并增强散热性能。其封装形式适合自动化生产线的快速组装，并符合现代电子设备对轻量化和小型化的要求。
四、应用领域
由于其优异的性能，IPD60R400CEAUMA1在多个领域得到了广泛应用，包括但不限于：
开关电源: 在各种开关电源转换器中，作为主开关元件，支持高效能量转换。
电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动中，保证了高效的开关控制及能量利用率。
大功率电源管理: 在逆变器和变频器等场合中，为电力转换与控制提供强有力的支持。
电池管理系统: 在电池充放电管理中提供精确控制，确保系统的安全和高效。
五、总结
综上所述，IPD60R400CEAUMA1凭借其优越的电气特性和广泛的应用潜力，成为高压、高效能量转换应用中的理想选择。无论是在电源管理、开关电源，还是电机驱动以及其他大功率应用中，它都能带来高效率和稳定性，为业界提供强有力的技术支持。