功率(Pd) | 1.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 225mΩ@2A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.7nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 384pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 2.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
DMN10H220LFDF-13 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能场效应管(MOSFET)。该器件采用U-DFN2020-6封装,具备出色的电气特性,适合多种电子应用。凭借其高达100V的绝对最大化电压、2.2A的连续电流能力以及1.1W的功率处理能力,DMN10H220LFDF-13 在关键应用场合中展现出优异的性能和可靠性。
DMN10H220LFDF-13 以其高效的导电能力和快速的开关特性而著称。N沟道MOSFET结构使其在导通状态下具有很低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了在高负载情况下的功率损耗。它的低栅极电荷(Qg)特性使得该器件在频繁开关操作中表现出色,非常适合用于高频开关电源和动态负载要求严苛的环境。
U-DFN2020-6 封装结构紧凑,具有优良的散热性能,极大增强了设备在高密度电路中的集成能力。其小型化的设计使其便于在空间有限的应用领域中使用,降低了PCB布局的复杂性。封装的物理尺寸约为2mm x 2mm,适合现代电子设计需求。
DMN10H220LFDF-13 在多种应用中表现优异,主要包括但不限于:
DMN10H220LFDF-13 结合了高耐压和大电流能力,适应多种严苛的电气环境。随着LED和电动交通工具等新兴产业的发展,对高效能、高可靠性的MOSFET的需求日益增加,这款器件正好满足了这一市场趋势。此外,较低的导通电阻和快速的开关特性意味着它不仅提升了系统的整体效能,同时也降低了热量生成,提高了系统的稳定性与寿命。
综上所述,DMN10H220LFDF-13 显示出了卓越的电气性能和广泛的应用潜力。其设计关注高效率和低功耗特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。凭借美台的品牌可靠性与强大技术支持,使得选择 DMN10H220LFDF-13 作为项目中的核心器件,能够确保最终产品的高性能和高可靠性。此款MOSFET不仅适合工程师的设计需求,也为未来的创新应用提供了有力的支撑。