DMN10H220LFDF-13 产品实物图片
DMN10H220LFDF-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN10H220LFDF-13

商品编码: BM0086146362
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.1W 100V 2.2A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.672
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.672
--
150+
¥0.48
--
1000+
¥0.437
--
5000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN10H220LFDF-13参数

功率(Pd)1.1W反向传输电容(Crss@Vds)17pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)225mΩ@2A,10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)栅极电荷(Qg@Vgs)6.7nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)384pF@25V连续漏极电流(Id)2.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

DMN10H220LFDF-13手册

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DMN10H220LFDF-13概述

DMN10H220LFDF-13 产品概述

1. 引言

DMN10H220LFDF-13 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能场效应管(MOSFET)。该器件采用U-DFN2020-6封装,具备出色的电气特性,适合多种电子应用。凭借其高达100V的绝对最大化电压、2.2A的连续电流能力以及1.1W的功率处理能力,DMN10H220LFDF-13 在关键应用场合中展现出优异的性能和可靠性。

2. 主要规格

  • 器件类型: N沟道MOSFET
  • ID (连续排放电流): 2.2A
  • VDS (最大漏极-源极电压): 100V
  • PD (最大功率耗散): 1.1W
  • 封装类型: U-DFN2020-6
  • 工作温度范围: -40°C 至 +125°C(典型应用环境)

3. 器件特点

DMN10H220LFDF-13 以其高效的导电能力和快速的开关特性而著称。N沟道MOSFET结构使其在导通状态下具有很低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了在高负载情况下的功率损耗。它的低栅极电荷(Qg)特性使得该器件在频繁开关操作中表现出色,非常适合用于高频开关电源和动态负载要求严苛的环境。

4. 封装与物理尺寸

U-DFN2020-6 封装结构紧凑,具有优良的散热性能,极大增强了设备在高密度电路中的集成能力。其小型化的设计使其便于在空间有限的应用领域中使用,降低了PCB布局的复杂性。封装的物理尺寸约为2mm x 2mm,适合现代电子设计需求。

5. 应用场景

DMN10H220LFDF-13 在多种应用中表现优异,主要包括但不限于:

  • 开关电源: 用于DC-DC转换器和AC-DC适配器,以实现高效率的能量转换。
  • 电机驱动: 支持电动车辆、家用电器及工业设备的电机控制。
  • 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中进行高效切换。
  • LED驱动: 实现高效的LED照明控制,提升能效和延长设备寿命。

6. 性能优势

DMN10H220LFDF-13 结合了高耐压和大电流能力,适应多种严苛的电气环境。随着LED和电动交通工具等新兴产业的发展,对高效能、高可靠性的MOSFET的需求日益增加,这款器件正好满足了这一市场趋势。此外,较低的导通电阻和快速的开关特性意味着它不仅提升了系统的整体效能,同时也降低了热量生成,提高了系统的稳定性与寿命。

7. 结论

综上所述,DMN10H220LFDF-13 显示出了卓越的电气性能和广泛的应用潜力。其设计关注高效率和低功耗特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。凭借美台的品牌可靠性与强大技术支持,使得选择 DMN10H220LFDF-13 作为项目中的核心器件,能够确保最终产品的高性能和高可靠性。此款MOSFET不仅适合工程师的设计需求,也为未来的创新应用提供了有力的支撑。