BZX84C51Q-13-F
BZX84C51Q-13-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 51V | 容差 | ±5.88% |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 180 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 35.7V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
BZX84C51Q-13-F手册
BZX84C51Q-13-F概述
产品概述：BZX84C51Q-13-F
一、概述
BZX84C51Q-13-F是一款高性能的齐纳二极管，由知名电子元器件制造商DIODES（美台）公司生产。该元器件采用SOT-23封装，广泛应用于电压调节和过电压保护电路中。其设计结合了优越的电气特性和可靠的工作温度范围，是多种电子应用中的理想选择。
二、基本参数
标称齐纳电压（Vz）：51V BZX84C51Q-13-F的标称齐纳电压为51V，能有效地稳定电压输出，适合大部分工作在高电压下的电路。
容差：±5.88% 该产品具有±5.88%的电压容差，确保在不同环境条件下的电压稳定性。
最大功率：300mW 在最大功率降低到300mW的情况下，BZX84C51Q-13-F能够实现稳定的电压调节，避免因功率过大而导致的额外损耗和过热。
最大阻抗（Zzt）：180 Ohms 该特性说明在特定工作条件下，该齐纳二极管的内阻相对较低，能够提供更高的响应速度和更好的电压稳定性。
反向泄漏电流：100nA @ 35.7V 反向泄漏电流在35.7V电压下为100nA，展现了其优良的绝缘性能，适合用于高电压环境中的应用。
正向电压（Vf）：900mV @ 10mA 在10mA的测试电流下，正向电压为900mV，这意味着在电流较大的情况下，BZX84C51Q-13-F依然保持较低的正向电压，有助于降低功耗。
工作温度范围：-65°C ~ 150°C（TJ） BZX84C51Q-13-F的工作温度范围广泛，让它在极端环境下依然能保持稳定的性能，适合航空航天、汽车电子及工业领域。
安装类型和封装：表面贴装型，TO-236-3，SOT-23 SOT-23封装不仅方便大规模自动化焊接，还为电路设计提供了更加紧凑的布局。
三、应用场景
BZX84C51Q-13-F广泛应用于以下领域：
电源管理 作为电源管理电路中的齐纳稳压器件，BZX84C51Q-13-F能够提供稳定的参考电压，确保电源的输出电压不受负载变化的影响。
过电压保护 该齐纳二极管可用于瞬态过电压抑制电路，保护后续电路免受电压波动的影响，尤其是在电网不稳定或出现瞬态峰值的应用场景。
信号调节 在一些信号调节应用中，BZX84C51Q-13-F可以用于噪声抑制和信号调理，确保信号的质量和稳定性。
消费电子 在消费电子产品如手机、平板电脑、家用电器等中，齐纳二极管起到了稳定工作条件和维护安全可靠性的作用。
四、总结
BZX84C51Q-13-F是一款性能卓越的齐纳二极管，凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和便于自动化安装的SOT-23封装，成为众多电子设计领域的理想解决方案。不论是在电力管理、过电压保护还是电子设备的支持应用中，BZX84C51Q-13-F都显示出了极高的可靠性和稳定性，是工程师们在设计过程中不可或缺的重要组成部分。选择BZX84C51Q-13-F，您将能够提升产品的性能和用户体验。