晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 Ohms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTC122LU-7-F 是一种高性能的 NPN 型双极晶体管,采用 SOT-323 表面贴装型封装,适用于广泛的电子应用。该晶体管的主要参数包括集电极最大电流为 100mA,集射极击穿电压最大可达 50V,以及最大功率输出为 200mW。凭借其良好的电流增益和优秀的频率响应,DDTC122LU-7-F 非常适合用于开关电路、放大器电路和射频应用。
DDTC122LU-7-F 的设计使其具备优良的线性特性和高效的开关性能,适合操作于多种负载环境。在工作频率高达 200MHz 的情况下,该晶体管可以提供稳定的增益,适合 RF 应用及高速数字电路。
该器件的基极电阻 R1(220Ω)与发射极电阻 R2(10kΩ)的设计,能够有效控制晶体管的偏置电流和增益特性,使其能够在不同电流和电压条件下保持良好的工作状态。
在处理高频信号时,其低截止电流(500nA)显著降低了串扰和噪声,从而在混合信号环境中表现出色。
DDTC122LU-7-F 可广泛应用于如下领域:
DDTC122LU-7-F 由 DIODES(美台)公司生产,作为优质电子元器件供应商,DIODES 提供高可靠性的半导体器件,服务于全球电子行业客户。同时,该产品符合多种国际电子元件标准,确保在不同环境中的稳定性和可靠性。
DDTC122LU-7-F 是一款性能卓越的 NPN 脉冲电流达 100mA、最高 50V 工作电压的双极晶体管。凭借其稳定的增益、广泛的工作频率及小巧的 SOT-323 封装,该产品非常适合现代电子产品设计中的各种应用。无论是在开关控制、信号放大还是高频射频电路中,DDTC122LU-7-F 都表现出色,是您电子设计中的理想选择。