DDTC122LU-7-F 产品实物图片
DDTC122LU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC122LU-7-F

商品编码: BM0086146354
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT323; R1: 0.22kΩ
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.282
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.282
--
150+
¥0.202
--
1500+
¥0.171
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC122LU-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTC122LU-7-F手册

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DDTC122LU-7-F概述

DDTC122LU-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTC122LU-7-F 是一种高性能的 NPN 型双极晶体管,采用 SOT-323 表面贴装型封装,适用于广泛的电子应用。该晶体管的主要参数包括集电极最大电流为 100mA,集射极击穿电压最大可达 50V,以及最大功率输出为 200mW。凭借其良好的电流增益和优秀的频率响应,DDTC122LU-7-F 非常适合用于开关电路、放大器电路和射频应用。

二、关键参数

  1. 晶体管类型: NPN
  2. 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  3. 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  4. 基极电阻 (R1): 220Ω
  5. 发射极电阻 (R2): 10kΩ
  6. 最小 DC 电流增益 (hFE): 56 @ 10mA, 5V
  7. 最大饱和压降 (Vce(sat)): 300mV @ 250µA, 5mA
  8. 最大截止电流 (Ic切断): 500nA
  9. 频率跃迁 (f_T): 200MHz
  10. 最大功率: 200mW
  11. 封装类型: SOT-323

三、性能特点

DDTC122LU-7-F 的设计使其具备优良的线性特性和高效的开关性能,适合操作于多种负载环境。在工作频率高达 200MHz 的情况下,该晶体管可以提供稳定的增益,适合 RF 应用及高速数字电路。

该器件的基极电阻 R1(220Ω)与发射极电阻 R2(10kΩ)的设计,能够有效控制晶体管的偏置电流和增益特性,使其能够在不同电流和电压条件下保持良好的工作状态。

在处理高频信号时,其低截止电流(500nA)显著降低了串扰和噪声,从而在混合信号环境中表现出色。

四、应用领域

DDTC122LU-7-F 可广泛应用于如下领域:

  1. 开关电路: 在电源管理和电机控制中,用作开关闭合或断开的控制元件。
  2. 信号放大: 在模拟信号处理、音频放大器及传感器接口中,用于放大微小信号。
  3. 射频应用: 适用于无线通信、射频发射器和接收器中的信号调制和解调。
  4. 逻辑电路: 作为数字电路中的基础逻辑组件,进行信号的开关操作。

五、生产厂家

DDTC122LU-7-F 由 DIODES(美台)公司生产,作为优质电子元器件供应商,DIODES 提供高可靠性的半导体器件,服务于全球电子行业客户。同时,该产品符合多种国际电子元件标准,确保在不同环境中的稳定性和可靠性。

六、总结

DDTC122LU-7-F 是一款性能卓越的 NPN 脉冲电流达 100mA、最高 50V 工作电压的双极晶体管。凭借其稳定的增益、广泛的工作频率及小巧的 SOT-323 封装,该产品非常适合现代电子产品设计中的各种应用。无论是在开关控制、信号放大还是高频射频电路中,DDTC122LU-7-F 都表现出色,是您电子设计中的理想选择。