DDTC142JE-7-F 产品实物图片
DDTC142JE-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC142JE-7-F

商品编码: BM0086146185
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
晶体管 双极 (BJT) 单,预偏置) NPN 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.261
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.261
--
150+
¥0.186
--
1500+
¥0.158
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC142JE-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)470 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

DDTC142JE-7-F手册

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DDTC142JE-7-F概述

产品概述:DDTC142JE-7-F

一、基本信息

DDTC142JE-7-F 是一种高性能的NPN双极型晶体管(BJT),专为各种电子应用设计。该器件由DIODES(美台)公司生产,采用SOT-523封装,是一种表面贴装型晶体管。其设计重点是优良的电气性能和适应性,使其能够在多个应用场景中发挥重要作用。

二、性能参数

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流 (Ic):100mA
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V,这使得该晶体管适合工作在中等电压环境。
  4. 频率 - 跃迁:高达200MHz,适合高频开关应用。
  5. 最大功率:150mW,为该器件提供了充足的功率处理能力。
  6. 基极电阻 (R1):470 Ohms,优化输入信号的驱动能力。
  7. 发射极电阻 (R2):10 kOhms,帮助改善线性工作区表现。

三、增益特性

DDTC142JE-7-F 的DC电流增益 (hFE) 在10mA和5V条件下的最小值为56,意味着该晶体管在中等电流条件下提供了良好的增益表现。此外,在不同的基极和集电极电流 (Ib, Ic) 条件下,当Vce为250µA和5mA时,其饱和压降最大值为300mV,这显示出该器件在开关状态下有效的电压控制特性。这些电气特性使得DDTC142JE-7-F能够作为放大器和开关元件在多种电路中工作。

四、内部特性

  • 截止电流(集电极截止电流 Ic(sat)):最大值为500nA,这表明该晶体管在关闭状态下漏电流非常小,从而有助于提高电路的整体效率。
  • 温度稳定性:作为常用的NPN晶体管,DDTC142JE-7-F 在广泛的环境温度下保持稳定的工作性能,使其适用于各类应用场合。

五、应用领域

DDTC142JE-7-F 被广泛应用于以下几个方面:

  1. 信号放大器:凭借其良好的增益和频率响应,适合用于音频信号放大及其他低功耗信号处理。
  2. 开关电路:可用作小型电机驱动、继电器控制等场合的开关元件,尤其是在需要低电压和中等载流的环境下。
  3. 低功耗应用:当用于电池供电的便携设备时,DDTC142JE-7-F 的低截止电流特性和高输入阻抗适合以最小化功耗。

六、安装与封装

DDTC142JE-7-F 的SOT-523封装设计使其适合于表面贴装技术 (SMT) ,在现代电路板(PCB)上具有以下优点:

  • 紧凑的尺寸:节省空间,适合高密度设计。
  • 良好的散热性能:优化的封装设计有助于热量的散发,有助于提升器件的使用寿命和可靠性。

七、总结

综上所述,DDTC142JE-7-F 是一款高效、可靠的NPN双极型晶体管,充分考虑了在现代电子设备中较大的应用空间。凭借其良好的电气性能、较优的电流增益及饱和压降特性,该晶体管可以被应用于广泛的电子产品中。无论是在消费类电子、电机驱动还是低功耗应用,DDTC142JE-7-F 都展现出了其独特的优势,是电子设计工程师的不二选择。