DL4003-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DL4003-13-F

商品编码: BM0086146178
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
MELF
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.307
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.307
--
100+
¥0.22
--
500+
¥0.199
--
2500+
¥0.188
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DL4003-13-F参数

二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V
不同 Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳DO-213AB,MELF供应商器件封装MELF
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

DL4003-13-F手册

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DL4003-13-F概述

DL4003-13-F 产品概述

1. 产品简介
DL4003-13-F 是一款高性能的标准二极管,主要应用于直流电路中的整流和过电压保护。该器件由DIODES(美台)公司提供,采用MELF封装设计,具有优越的电气特性和可靠性,适用于各种工业和商业应用。

2. 关键参数

  • 反向电压(Vr): 最大为200V,这使得DL4003-13-F在高压应用中表现出色。
  • 平均整流电流(Io): 可承受最高1A的电流,适合电流较大的整流应用。
  • 正向电压降(Vf): 在1A条件下,正向电压为1.1V,保证了整流电路的低功耗损耗。
  • 反向泄漏电流: 在200V时,仅为5µA,这一特性确保了高压情况下的低功耗特性,并减少了电路的辐射干扰。
  • 恢复时间: 该二极管的恢复速度为标准恢复,超过500ns,适用于对速度没有极高要求的应用场合。
  • 输入电容: 在4V,1MHz的条件下,电容值为15pF,其低电容特性适合高频率操作时使用。
  • 工作温度范围: 能够在-55°C到150°C的环境温度下稳定工作,适合恶劣的工业环境。

3. 封装与安装
DL4003-13-F采用MELF(Metal Electrode Leadless Face)封装,具有小尺寸和良好的热性能,适合表面贴装(SMD)工艺的需求。这种封装形式可以有效节省空间,并有助于提升电路的集成度。MELF封装的设计使其在焊接过程中更加稳定,降低了焊接缺陷的风险。

4. 应用场景
DL4003-13-F二极管广泛应用于各种电子产品中,尤其在以下领域表现突出:

  • 电源供应: 是电源整流电路的理想选择,可在AC-DC转换中使用。
  • 保护电路: 可作为过电压保护或反向电压保护器件,特别是在电源和敏感负载之间提供安全保护。
  • 汽车电子: 适合于汽车电子系统中的电源管理和控制电路,因其可靠的工作温度和稳定性。
  • 工业控制: 在工控系统中作为信号整流和保护元件使用,确保系统运行的安全性和稳定性。

5. 竞争优势
DL4003-13-F 的主要竞争优势在于其行业领先的静态和动态电气参数。其高反向电压和可承受的平均整流电流使其在多种高要求应用中脱颖而出。同时,极低的反向泄漏电流及适应宽温范围的能力,确保了在严苛环境下的可靠性。此外,MELF封装的高密度设计非常适合现代紧凑型电子设备的需求。

6. 总结
总的来说,DL4003-13-F是市场上一款兼具性能、可靠性与灵活性的标准二极管。其卓越的电气特性及宽广的应用领域,使其成为开发高效、持久和低功耗电子设备的理想选择。无论是在新产品开发还是在现有系统的升级,DL4003-13-F都将是一个值得信赖的解决方案。