晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
概述
DCX122TU-7-F 是由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产的一款高性能双极型晶体管,封装采用了紧凑型 SOT-363 封装。这款器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,尤其适合需要高集成度和小尺寸的现代电子电路应用。由于其优异的电气特性和频率响应,DCX122TU-7-F 被广泛应用于信号放大、开关控制及其他多种场合。
器件特性
晶体管类型: DCX122TU-7-F 内部配置了一对预偏压式的 NPN 和 PNP 晶体管。这种配置使其具备更好的线性放大和开关特性,适合多种电路设计需求。
最大集电极电流 (Ic): 器件最大集电极电流为 100mA,能够支持多种低功率应用,这在消费类电子产品中尤为重要。
最大集射极击穿电压 (Vce): 该元件的规格允许最大集射极击穿电压为 50V,确保其能在中等电压条件下正常运作,适用于多种应用环境。
基极电阻 (R1): 推荐的基极电阻值为 220 欧姆,这为驱动晶体管提供了合适的偏置条件,确保其性能处于最佳状态。
DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 的集电极电流和 5V 的工作电压下,DCX122TU-7-F 的增益达到最低 100,显示出良好的放大能力。
饱和压降 (Vce): 当 Ic 为 250µA 或 5mA 时,饱和压降的最大值为 300mV,体现了低功耗特性,有助于提升电路的整体效率。
频率响应: 器件支持高达 200MHz 的跃迁频率,适合视频和高频信号处理应用,意味着它能够在快速变化的信号中保持出色的性能。
功率处理能力: 最大功率消耗为 200mW,确保在正常工作条件下不会过热,延长了器件的使用寿命。
封装形式: SOT-363 封装设计使得 DCX122TU-7-F 适合表面贴装(SMD)应用,能够轻松集成于现代小型化电路中,节省电路板空间。
应用领域
DCX122TU-7-F 特别适用于以下几个领域:
总结
DCX122TU-7-F 是一款高性能、低功耗的双极型晶体管,结合了优异的电气性能与现代技术需求,特别适用于需要小型化和高增益的电路设计。其宽广的应用领域和技术优势,令其成为电子设计工程师在开发各种产品时的重要选择。通过对具体应用需求的分析,DCX122TU-7-F 将为用户带来更高的设计灵活性及更卓越的性能体验。