DDTB122JU-7-F 产品实物图片
DDTB122JU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB122JU-7-F

商品编码: BM0086146164
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB122JU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)47 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB122JU-7-F手册

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DDTB122JU-7-F概述

DDTB122JU-7-F 产品概述

概述

DDTB122JU-7-F 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能 PNP 型晶体管,采用表面贴装型设计,封装为 SC-70/SOT-323。该产品广泛用于各种电子应用中,如开关电源、放大器电路、信号处理及其他需要高可靠性和高效率的场合。由于其优越的电气特性和紧凑的外形设计,DDTB122JU-7-F 受到了广泛的认可和应用。

关键参数

  • 晶体管类型:DDTB122JU-7-F 是一种 PNP 型晶体管,预偏压设计使其在不同电路方案中的应用更加灵活。
  • 最大集电极电流 (Ic):该器件的最大集电极电流可达到 500mA,能够满足小到中等负载的驱动需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce):其最大集射极击穿电压为 50V,适合用于需要承受较高电压的电路中。
  • 电流增益 (hFE):在 50mA、5V 的条件下,DDTB122JU-7-F 的最低直流电流增益 (hFE) 为 47,确保在放大应用中的良好性能。
  • 饱和压降:该晶体管在 2.5mA 和 50mA 时的 Vce 饱和压降最大为 300mV,这使得它在开关状态时的能量损耗较小,提高了整体系统的效率。
  • 截止电流:集电极截止电流最大为 500nA,确保在关闭状态时的极低漏电流,提升了电路的稳定性。
  • 频率响应:其频率跃迁达到 200MHz,确保了在高频应用中的良好适应性,适合于快速信号处理。
  • 最大功率:DDTB122JU-7-F 的最大功耗为 200mW,使其能够在较高负载条件下安全工作。
  • 电阻:基极和发射极的电阻分别为 220 Ohms 和 4.7 kOhms,适合多种阻抗配置的电路设计。

应用场景

DDTB122JU-7-F 适合应用于多种场景,包括但不限于:

  1. 小型功率放大器:由于其良好的增益特性,可以作为音频、小信号放大器的驱动器件。
  2. 开关电源:适合用于效率要求高的开关电源设计,帮助提高电源转换效率。
  3. RF 放大器和混频器:其优异的频率响应使其在射频电路中也颇具应用潜力。
  4. 信号放大和开关控制电路:DDTB122JU-7-F 可广泛用于传感器信号处理、电机驱动控制等应用中。

封装与安装

  • 封装类型:DDTB122JU-7-F 采用 SOT-323/SOT-323 封装,符合表面贴装技术(SMT)标准,使其易于焊接,适合现代电路板的设计要求。
  • 安装方式:表面贴装型设计使得该器件在空间受限的应用中尤其受欢迎,能够有效节省电路板空间,同时提升组装效率。

结论

DDTB122JU-7-F 晶体管在性能和应用方面均展现出极大的灵活性和适用性。其优越的电气性能和可靠的电力处理能力,让它成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费电子、工业设备还是通信设备中,DDTB122JU-7-F 都为工程师提供了强大的支持,是理想的选择。