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DMG2305UXQ-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 4.2A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.441按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.441
--
150+
￥0.316
--
1000+
￥0.287
--
5000+
￥0.271
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG2305UXQ-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.2nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 808pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG2305UXQ-13手册
无数据
DMG2305UXQ-13概述
产品概述：DMG2305UXQ-13
DMG2305UXQ-13是一款高性能的P沟道MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。该器件由DIODES（美台）制造，具有出色的电气和热特性，能够为设计工程师提供理想的解决方案。本文将详细介绍DMG2305UXQ-13的主要参数、特性及其在实际应用中的适用性。
主要规格
DMG2305UXQ-13的核心参数如下：
- FET类型：P通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：4.2A (25°C 时)
- 驱动电压：1.8V和4.5V下的最小和最大Rds On
- 最大导通电阻（Rds On）：52毫欧 @ 4.2A、4.5V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值900mV @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值10.2nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 输入电容（Ciss）：最大值808pF @ 15V
- 功率耗散（Pd）：最大值1.4W (Ta)
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
- 封装类型：SOT-23，适用于表面贴装技术 (SMT)
性能特点
高效能传导：DMG2305UXQ-13的最大Rds On为52毫欧，这意味着在工作时能够高效地降低功率损耗，适合在要求高电流的场合中使用，如功率放大和电源管理系统。
广泛的工作温度：该MOSFET在极端环境下的稳定性使其能够在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，适合高温、高湿或低温等恶劣环境中的元器件选用。
快速开关特性：由于其低栅极电荷（Qg）和较小的输入电容（Ciss），该器件能够实现更快的开关速度，非常适合用于开关电源、直流-直流转换器，以及各种高速开关电路。
紧凑的SOT-23封装：该产品采用SOT-23封装，因其体积小、占用空间少，非常适应现代电子设备的小型化趋势。此特点使得DMG2305UXQ-13能够在空间受限的设计中发挥重要作用。
应用场景
DMG2305UXQ-13的优良特性使其适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器中作为开关元件使用，提高能效，降低发热。
- 电动机驱动：可作为高效的控制元件，控制电动机的启动、停止及调速。
- 负载开关：可用于各种电气负载的开关控制，适用性广泛。
- 线性调节器：在稳压电源中，提高输出稳定性和效率。
- 信号开关：用于各种信号通路的开关控制，提高系统的灵活性。
结论
DMG2305UXQ-13是一款集高效能与宽工作温度范围于一体的P沟道MOSFET，具备优越的电气与热特性，适用于多种应用场景。无论是在电源管理、驱动电机还是在负载开关的应用中，DMG2305UXQ-13均能够满足现代电子设备对高效能、低功耗和高可靠性的需求。随着技术不断发展，DMG2305UXQ-13的广泛适用性将继续为创新设计提供支持，是工程师们值得首选的电子元器件之一。