DDC142TH-7
DDC142TH-7参数
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 欧姆 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DDC142TH-7手册
DDC142TH-7概述
DDC142TH-7 产品概述
一、产品简介
DDC142TH-7 是一款由 DIODES（美台）公司制造的高性能 NPN 晶体管，采用表面贴装型封装（SOT-563），专为各种电子应用设计。该产品集成了两个 NPN 预偏压式晶体管，具有优秀的电流增益、低饱和压降和高频特性，适合用于开关电源、信号放大及其他多种电路中。
二、主要参数
晶体管类型: DDC142TH-7 采用双 NPN 预偏压式结构，每个晶体管在电流控制和放大方面均表现出色。这种设计使得它能在多种工作条件下高效运行。
最大集电极电流 (Ic): 该器件的最大集电极电流为100mA，适合低功耗应用，能够满足普通信号处理和驱动负载的需求。
最大集射极击穿电压 (Vce): DDC142TH-7 的最大集射极击穿电压为50V，为设备提供了良好的保护，能够承受一定程度的过压情况，确保电路的安全性与稳定性。
输入基极电阻 (R1): 基极电阻为470Ω，适合标准输入信号，并能有效控制基极电流以实现最佳的放大效果。
直流电流增益 (hFE): 在1mA的基极电流和5V的电压下，DDC142TH-7的直流电流增益达到最小值100。这意味着，该晶体管可以以较小的输入信号推动更大的输出电流，使其在放大电路中表现出色。
饱和压降: 在250µA基极电流和5mA集电极电流的条件下，最大饱和压降为300mV，这使它在开关应用中具有较低的功耗，提高了整体电路的效率。
频率特性: DDC142TH-7 的跃迁频率高达200MHz，这使得它适合用于高频信号处理，满足通信和数据传输等应用的需求。
最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为150mW，能够承受一定的功率损耗，适合中等功率的应用场景。
三、封装与安装
DDC142TH-7 采用 SOT-563 封装，这种小型化表面贴装的设计不仅节省了PCB空间，还易于自动化生产。其引脚布局合理，便于与其他元器件进行混合安装，适合高密度电路设计。
四、应用领域
DDC142TH-7 适用于多个领域，包括：
- 模拟信号放大器: 利用其高增益特性，可以用于音频放大器、传感器信号放大等场合。
- 开关电源: 低饱和压降和高效率使其成为开关电源设计中的理想选择。
- RF放大器: 其高频特性非常适合用于射频放大电路。
- 数字电路: 可用于开关控制、逻辑电路等应用，满足快速开关操作的需求。
五、结论
DDC142TH-7 是一款功能强大、性能卓越的双 NPN 晶体管，其多种德性适合于广泛的电子设计应用，能够满足现代电子产品对高效率、小型化和高可靠性的要求。随着电子行业的不断演进，DDC142TH-7 将继续在各种场合展现其卓越的性能，助力创新与发展。