晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz,250MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
MMDT4146-7-F 产品概述
MMDT4146-7-F 是一款高性能 NPN 和 PNP 双极性晶体管 (BJT) 组合器件。它由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-363 封装,适用于多种低功耗应用。这款晶体管凭借其优良的电气特性和紧凑的封装,为电子工程师在设计电路时提供了极大的灵活性和可靠性。
MMDT4146-7-F 的设计使其适合于各种电子设备中,包括但不限于:
MMDT4146-7-F 的表面贴装设计使其安装方便,适合现代自动化生产线的快速贴装。工程师在使用时需特别注意其最大电压和电流规格,以确保在规定的范围内操作,同时合理选择合适的偏置电路以达到预期的增益。
MMDT4146-7-F 是一款兼具高性能和小型化的 NPN+PNP 晶体管,广泛适用于各种现代电子设备和系统。凭借其良好的电气特性和可靠的品质,它成为了众多应用中不可或缺的关键元器件之一。无论是在消费电子、工业控制,还是在开关电路及信号放大等方面,MMDT4146-7-F 都表现出了卓越的应用潜力,是工程师设计电路时的理想选择。