MMDT4146-7-F 产品实物图片
MMDT4146-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT4146-7-F

商品编码: BM0086146103
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
0.015g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 25V 200mA NPN+PNP SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.508
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.508
--
50+
¥0.351
--
1500+
¥0.319
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT4146-7-F参数

晶体管类型NPN,PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 2mA,1V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁300MHz,250MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

MMDT4146-7-F手册

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MMDT4146-7-F概述

MMDT4146-7-F 产品概述

产品简介

MMDT4146-7-F 是一款高性能 NPN 和 PNP 双极性晶体管 (BJT) 组合器件。它由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-363 封装,适用于多种低功耗应用。这款晶体管凭借其优良的电气特性和紧凑的封装,为电子工程师在设计电路时提供了极大的灵活性和可靠性。

主要规格

  • 晶体管类型: NPN 和 PNP
  • 集电极电流(Ic): 最大值为 200mA
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大值为 25V
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下,最大值为 300mV(在 5mA 和 50mA 时)和 400mV(在 5mA 和 50mA 时)
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为 50nA
  • 直流电流增益(hFE): 在 2mA 和 1V 时,最小值为 120
  • 功率耗散: 最大值为 200mW
  • 频率响应: 跃迁频率分别为 300MHz 和 250MHz
  • 封装类型: SOT-363,适合表面贴装应用

应用领域

MMDT4146-7-F 的设计使其适合于各种电子设备中,包括但不限于:

  1. 开关电路: 能够快速启停电流,适用于各种开关电源和自动控制系统。
  2. 信号放大: 可用于音频信号放大和微弱信号处理。
  3. 开关电源: 在 DC-DC 转换器和线性稳压器中表现优异。
  4. 消费电子: 在电视机、智能手机和其他手持设备中,可以作为信号开关和电流放大器。
  5. 工业控制: 广泛用于传感器、执行器和输出控制电路。

设计优势

  1. 高效能: MMDT4146-7-F 提供优越的性能特征,包括高增益和低饱和压降,使其在功率转换及信号处理中的表现非常出色。
  2. 小型封装: 采用 SOT-363 封装,减少了 PCB 设计空间的需求,非常适合小型化电子产品。
  3. 多类型支持: 作为 NPN 和 PNP 双极晶体管的组合,使设计师能够简化电路设计,减少元件数量。
  4. 高频率性能: 支持高至 300MHz 的跳变频率,非常适合于快速信号处理和高频应用。

安装与使用

MMDT4146-7-F 的表面贴装设计使其安装方便,适合现代自动化生产线的快速贴装。工程师在使用时需特别注意其最大电压和电流规格,以确保在规定的范围内操作,同时合理选择合适的偏置电路以达到预期的增益。

结论

MMDT4146-7-F 是一款兼具高性能和小型化的 NPN+PNP 晶体管,广泛适用于各种现代电子设备和系统。凭借其良好的电气特性和可靠的品质,它成为了众多应用中不可或缺的关键元器件之一。无论是在消费电子、工业控制,还是在开关电路及信号放大等方面,MMDT4146-7-F 都表现出了卓越的应用潜力,是工程师设计电路时的理想选择。