晶体管类型 | 2 PNP(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
MMDT4126-7-F 是由 DIODES(美台公司)制造的一款高性能 PNP 晶体管,属于 SOT-363 封装系列,适合各种表面贴装应用。该晶体管集成了出色的电气特性与宽广的工作温度范围,使其在不同的电路设计中具有良好的适应能力,广泛应用于信号放大、开关电路及功率管理系统。
晶体管类型:
电流与电压参数:
功率能力:
电压降落性能:
电流增益:
工作频率:
温度范围:
封装特性:
MMDT4126-7-F 晶体管凭借其优异的性能,主要应用于以下几个领域:
MMDT4126-7-F 是一款具有多重优势的 PNP 晶体管,具备良好的电气性能与宽广的工作温度范围,使其成为多种电子产品设计的理想选择。无论在电源管理、音频放大还是射频应用中,MMDT4126-7-F 都能提供出色的可靠性与性能。随着电子产品的创新与发展,MMDT4126-7-F 的应用潜力将愈发显著,是提升电子设计效率与性能的有力工具。