MMDT4126-7-F 产品实物图片
MMDT4126-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT4126-7-F

商品编码: BM0086145968
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.484
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.484
--
50+
¥0.334
--
1500+
¥0.304
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT4126-7-F参数

晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 2mA,1V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SOT-363

MMDT4126-7-F手册

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MMDT4126-7-F概述

MMDT4126-7-F 产品概述

一、产品简介

MMDT4126-7-F 是由 DIODES(美台公司)制造的一款高性能 PNP 晶体管,属于 SOT-363 封装系列,适合各种表面贴装应用。该晶体管集成了出色的电气特性与宽广的工作温度范围,使其在不同的电路设计中具有良好的适应能力,广泛应用于信号放大、开关电路及功率管理系统。

二、主要特点

  1. 晶体管类型

    • MMDT4126-7-F 是一款 PNP 型晶体管,能够在负极性输入的情况下正常工作,适用于多种电路设计。
  2. 电流与电压参数

    • 最大集电极电流(Ic)为 200mA,确保了该器件能够应对高负载电流的需求。
    • 集射极击穿电压(Vce)为 25V,提供了一定的电气保护,适合各种应用场景。
  3. 功率能力

    • 该器件的最大功率为 200mW,让其在高功率或高热环境下的使用变得更加灵活,使用时需注意热管理。
  4. 电压降落性能

    • Vce 饱和压降在不同的基极电流(Ib)下分别为 400mV @ 5mA 和 50mA,体现了其出色的饱和性能,适合低功耗设计。
  5. 电流增益

    • MMDT4126-7-F 在 2mA 集电极电流和 1V 的条件下,具有至少 120 的直流电流增益(hFE),可用于放大电路设计。
  6. 工作频率

    • 最大跃迁频率达到 250MHz,可用于高频通信设备,满足现代电路设计中对频率响应的要求。
  7. 温度范围

    • 工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合在极端温度环境下稳定工作,极大地扩展了其应用领域。
  8. 封装特性

    • 采用 SOT-363 封装,尺寸小,便于集成在密集布局的电路板上,符合现代微型化设计的趋势。

三、应用领域

MMDT4126-7-F 晶体管凭借其优异的性能,主要应用于以下几个领域:

  • 开关电路:在开关电源和逻辑电路中,MMDT4126-7-F 可作为开关元件,对于低功耗应用尤为重要。
  • 音频放大器:由于其优异的电流增益特性,该器件可以用于音频信号的放大,提升音频信号的清晰度和功率。
  • 射频电路:其高频特性使其成为射频传输及处理电路的理想选择,适应于无线通信设备中。
  • 信号处理:在模拟信号处理电路中,应对一些较小信号放大及开关控制方面的需求。

四、总结

MMDT4126-7-F 是一款具有多重优势的 PNP 晶体管,具备良好的电气性能与宽广的工作温度范围,使其成为多种电子产品设计的理想选择。无论在电源管理、音频放大还是射频应用中,MMDT4126-7-F 都能提供出色的可靠性与性能。随着电子产品的创新与发展,MMDT4126-7-F 的应用潜力将愈发显著,是提升电子设计效率与性能的有力工具。