DN0150BLP4-7 产品实物图片
DN0150BLP4-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DN0150BLP4-7

商品编码: BM0086145965
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.515
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.515
--
50+
¥0.355
--
1500+
¥0.323
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DN0150BLP4-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值450mW频率 - 跃迁60MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳3-XFDFN供应商器件封装X2-DFN1006-3

DN0150BLP4-7手册

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DN0150BLP4-7概述

DN0150BLP4-7 产品概述

产品名称:DN0150BLP4-7

制造商:DIODES(美台电子)

封装类型:3-XFDFN(X1-DFN1006-3)

DN0150BLP4-7是一款高性能的NPN型表面贴装晶体管,专为低功耗和高频应用而设计。凭借其优越的电气特性和耐用性,这款晶体管广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。

元器件特性

  1. 基本参数

    • 晶体管类型:NPN
    • 最大集电极电流 (Ic):100mA
    • 集射极击穿(Vceo):最大值50V,能够满足一般电源管理和信号放大需要。
    • 饱和压降 (Vce(sat)):在10mA和100mA的集电极电流下,最大饱和压降为250mV,优化了功率损耗和热管理。
  2. 电流特性

    • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为100nA,表明该器件在关闭状态下具有极低的漏电流,适用于高静态电流要求的电路。
    • 直流电流增益(hFE):在2mA和6V条件下,其最小值为200,提供良好的放大能力,适于信号处理和开关应用。
  3. 功率和频率

    • 最大功率:450mW,能够应对多数小功率应用的需求。
    • 频率跃迁:60MHz,适用于高速数字电路和高频信号放大。
  4. 温度和环境

    • 工作温度范围:-55°C至150°C,适合在各种极端环境下工作,确保持久的稳定性和可靠性。
  5. 安装与封装

    • 安装类型:表面贴装型(SMD),设计便于自动化生产和高密度电路板布局。
    • 封装尺寸:3-XFDFN,适应小型化设计趋势,能够有效节省PCB空间。

应用领域

DN0150BLP4-7晶体管因其卓越的性能,适合于以下应用场景:

  • 消费电子:如智能手机、便携式音响及其他移动设备,要求便携设计及高效能。
  • 汽车电子:在车载系统中作为开关和信号放大器使用。
  • 通信设备:用于RF放大、信号调制和解调,确保高频传输信号的稳定性。
  • 工业控制:在机器人控制和监控系统中,发挥对电机和传感器的相关控制作用。

小结

DN0150BLP4-7凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及适合于表面贴装的封装形式,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是用于开关电路、信号处理,还是在极端环境中的应用,DN0150BLP4-7均能提供稳定、可靠的性能,满足工业标准和市场需求。选择DN0150BLP4-7将为您的项目增添强大的驱动力和高效的性能,助力电子产品的持续创新和发展。