晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
功率 - 最大值 | 450mW | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
产品名称:DN0150BLP4-7
制造商:DIODES(美台电子)
封装类型:3-XFDFN(X1-DFN1006-3)
DN0150BLP4-7是一款高性能的NPN型表面贴装晶体管,专为低功耗和高频应用而设计。凭借其优越的电气特性和耐用性,这款晶体管广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
基本参数:
电流特性:
功率和频率:
温度和环境:
安装与封装:
DN0150BLP4-7晶体管因其卓越的性能,适合于以下应用场景:
DN0150BLP4-7凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及适合于表面贴装的封装形式,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是用于开关电路、信号处理,还是在极端环境中的应用,DN0150BLP4-7均能提供稳定、可靠的性能,满足工业标准和市场需求。选择DN0150BLP4-7将为您的项目增添强大的驱动力和高效的性能,助力电子产品的持续创新和发展。