DMP10H4D2S-13
DMP10H4D2S-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 87pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 380mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP10H4D2S-13手册
DMP10H4D2S-13概述
DMP10H4D2S-13 产品概述
DMP10H4D2S-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，广泛用于需要高耐压和高开关速度的电子设备中。其专业设计使其适用于各种应用，包括开关电源、PWM 控制电路、负载驱动和电子开关等领域。
主要特性
FET 类型: DMP10H4D2S-13 是一种 P 通道 MOSFET，基于金属氧化物半导体技术，具备优异的开关特性和低导通损耗。
高耐压: 此款元件的漏源电压（Vdss）可达 100V，使其能在高压电路中安全可靠地工作，适合用于高电压环境。
电流能力: 在 25°C 的条件下，DMP10H4D2S-13 提供持续漏极电流（Id）高达 270mA，且具备瞬时电流能力（Idm）达到 1A。这些特性使其适用于各类中低功率应用。
导通电阻: 在 10V 的栅源电压（Vgs）下，在 500mA 的电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值为 4.2Ω，这一低导通电阻意味着该 MOSFET 在开关过程中能有效减少功率损耗，提升整体电路的能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在 Vgs 时最大阈值电压为 3V @ 250µA，这确保了元件能够在低电压下打开，适应多种电源控制信号。
栅极电荷（Qg）: 在10V条条件下，栅极电荷最大为 1.8nC，低栅极电荷使得该 MOSFET 在高频开关应用中实现更快的转换速度和更低的开关损失。
输入电容（Ciss）: 在 25V 的情况下，输入电容最大为 87pF，较低的输入电容值有助于减少驱动电路对电源的负担，提高系统的整体响应速度。
功率耗散: DMP10H4D2S-13 具有最大功率耗散能力 380mW（Ta），使其适合于散热需求较低的紧凑电子设计。
宽工作温度范围: DMP10H4D2S-13 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C (TJ)，这意味着该元器件可在极端环境下稳定工作，非常适合航空、汽车及工业应用。
封装: 采用流行的 SOT-23-3 表面贴装封装，具有紧凑的尺寸，方便在空间有限的电路板上实现高密度布局。封装设计还使其适合自动化焊接处理，优化生产效率。
应用领域
DMP10H4D2S-13 适合于各种电子应用，包括但不限于：
开关电源: 可以在高效率的开关电源系统中作为主开关晶体管，提供快速响应和高效率的电源管理。
负载开关: 适合用于电池供电设备中的负载控制，能够实现静态电流管理。
PWM 控制电路: 在电机驱动和调光电路中，提供强大的开关能力与高效能。
便携式设备: 由于其小型化和低功率耗散特性，非常适合用于便携式电子设备，例如手机、平板电脑及其他消费电子产品。
结论
DMP10H4D2S-13 是一款卓越性能的 P 通道 MOSFET，具备高耐压、低导通电阻和宽温度范围等特点，适合用于多种高效能电子应用。其紧凑封装和高功率处理能力使得它非常适合现代电子设备的设计需求。随着对高效率和高性能电子元件需求的增加，DMP10H4D2S-13 将会在未来的电子产品中占据重要地位。