晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DCX122LH-7 是一款由美台半导体公司(Diodes Incorporated)设计和制造的双极性晶体管(BJT),该产品包括一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,具备预偏压式设计,适合于多种电子电路的应用。其封装类型为 SOT-563,采用表面贴装(SMD)技术,方便在现代电子设备中进行集成和应用。
晶体管类型: 该产品采用一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,适合多种用途,如开关电路、放大器和信号调制等。
电流和电压特性: 集电极电流(Ic)的最大值为 100mA,而集射极击穿电压(Vce)最大值为 50V,确保在较大负载条件下的安全性。此特性使得 DCX122LH-7 非常适合于各种中小型功率的应用。
增益和饱和压降: 在特定的基极(Ib)和集电极电流(Ic)下,DC 电流增益(hFE)的最小值为 56,工作在 10mA 和 5V 的条件下可达此增益水平。此外,当 Ic 为 250uA 和 5mA 时,Vce 饱和压降的最大值为 300mV,保证了在开关操作时的高效性能。
频率特性: 该晶体管的跃迁频率高达 200MHz,使其在高频应用中表现良好,适用于射频(RF)和高速电路设计。
功率处理能力: DCX122LH-7 的最大功率为 150mW,确保其在密集电路集成中的稳定性和可靠性。
电阻器配置: 基极电阻(R1)为 220Ω,发射极电阻(R2)为 10kΩ,这些设定可以提供合适的偏置条件,提高了晶体管的工作线性度和效率。
DCX122LH-7 晶体管的多功能性使其在多个领域得以广泛应用,包括:
开关电路: 使用该产品可以轻松地控制小型电机、继电器或LED等负载,是自动化设备和家用电器中的理想选择。
信号放大: 在音频和射频应用中,该晶体管可用作信号放大器,提升信号的强度,满足对音频清晰度及射频强度提升的需求。
调制解调器: 由于该晶体管具备良好的线性特性和频率响应能力,它非常适合用于调制解调器和无线通讯设备。
驱动器电路: 在驱动发光二极管(LED)等负载时,它能够确保提供稳定的工作电流,避免负载过载情况的发生。
DCX122LH-7 的 SOT-563 封装使其在小型化设计中极为适合,节省板空间并提供灵活的布局选择。此外,其表面贴装形式也使得自动化装配成为可能,极大提高了生产效率和产品一致性。设计工程师可以在原理图设计中,以较小的 footprint(占地面积),实现更复杂的电子功能。
DCX122LH-7 作为一款高效、可靠的双极性晶体管,兼具较高的性能指标与广泛的应用可能性,使其在现代电子设备设计中成为一个理想的选择。无论是在开关应用、信号处理还是驱动功能中,该产品都展现出杰出的性能,能够满足当今多样化的市场需求。