晶体管类型 | 2 PNP(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
IMT17-7 是由 DIODES 公司出品的一款高性能双极型晶体管阵列,具体为 2 PNP 晶体管,适用于多种电子设备和电路设计。该产品在电流和电压方面具备了优秀的表现,适合用于低功耗驱动以及开关电路的应用,其最大集电极电流达到 500 毫安,最大集射极击穿电压为 50 伏。这款晶体管的广泛适用性得益于其极低的饱和压降和高频特性,使其成为许多现代电子设计的理想选择。
双极型构造:作为一款双极型晶体管阵列,IMT17-7 包含两个 PNP 晶体管,适合于信号放大和开关应用的设计。
电流和电压规格:
饱和压降:在 50mA 和 500mA 的不同工作条件下,具有最大饱和压降 600mV 的特性,可以有效降低在切换状态下的功耗。
直流电流增益(hFE): 在 100mA、3V 的条件下,hFE 的最小值为 120,这意味着在信号放大过程中,提供了较高的增益,有助于提高系统的性能。
功率和频率:
温度范围: -55°C ~ 150°C的宽工作温度范围,确保在极端环境条件下依然可靠工作,适合汽车、工业设备及航天等要求严苛的领域。
封装和安装: 采用 SOT-26 表面贴装型封装,体积小,便于在空间有限的电路中使用,且简化了制造和组装过程。
由于其出色的电气特性,IMT17-7 适合应用于多种电子应用场景,包括但不限于:
IMT17-7 是一款功能强大、性能可靠的双PNP晶体管阵列,凭借其出色的电气特性和适应性,成为了多个电子设计领域的优先选择。无论是在低功耗开关应用、信号放大还是高频电路中,IMT17-7 均能提供有效的解决方案。该产品不仅降低了系统的能耗,提高了性能,还为电子设计师提供了合理且高效的选择,使其成为现代电子设备中不可或缺的元器件之一。