DMN2058U-13
DMN2058U-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 281pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.13W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2058U-13手册
DMN2058U-13概述
DMN2058U-13 产品概述
DMN2058U-13 是一款由美台（DIODES）公司制造的 N 通道 MOSFET，专为需要高效能和小型化解决方案的电子设备而设计。该器件的广泛应用场景包括消费电子、工控设备以及电源管理系统，特别适合要求高开关频率和低导通电阻的电路设计。
基本特性
DMN2058U-13 的主要参数包括：
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压最大为 20V，适合低电压应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，此器件可承载最大连续漏极电流为 4.6A，满足一般负载要求。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的驱动电压下，此 MOSFET 具有最大导通电阻为 35 毫欧，确保在高电流下的高效传导，减少功率损耗。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大阈值电压为 1.2V，这使得它在较低的栅压下就能启动，有助于降低开关损耗。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的正向栅极驱动下，栅极电荷为 7.7nC，意味着该器件在高速开关操作中的驱动要求较低。
最大功率耗散: DMN2058U-13 的最大功率耗散值为 1.13W，适合低功耗应用。
工作温度范围: 该设备的工作温度范围广泛，覆盖 -55°C 至 150°C，适用于各种极端环境的工作需求。
封装与安装
该 MOSFET 采用 SOT-23-3 的表面贴装封装，尺寸小，适合高密度的 PCB 设计。SOT-23 封装是现代电子产品中常见的封装形式，其优越的热特性和良好的导电性能使其成为流行选择。
应用领域
DMN2058U-13 的设计灵活性使其适用于多种应用，包括但不限于：
电源管理: 在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中，DMN2058U-13 的低导通电阻和较高的工作电流能力确保高效率的电能传输。
开关电路: 它可用于各种类型的开关电路，如电机驱动和负载开关，能够在快速切换下稳定工作，有助于提升系统整体性能。
消费电子: 在手机、电池充电器、家用电器等消费电子产品中，DMN2058U-13 能够满足紧凑设计和高效能的双重要求。
工控设备: 该 MOSFET 的高工作温度范围使其适合用于恶劣环境中的工业控制和自动化设备。
性能优势
DMN2058U-13 不仅具备优良的电气性能，其设计兼顾了尺寸和热管理，特别适合现代电子产品对小型化与高效能的要求。该器件在频繁开关操作时表现出色，同时在长时间运行中具备较高的可靠性。
结论
总而言之，DMN2058U-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，适合各类电子应用场合。凭借其出色的技术参数和多样化的应用潜力，DMN2058U-13 是设计工程师实现高效能系统的理想选择。无论是用于电源管理还是开关电路，DMN2058U-13 都能够有效提升整体电路的性能，值得在产品开发中充分考虑。