DMN3023L-13
DMN3023L-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 873pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3023L-13手册
DMN3023L-13概述
产品概述：DMN3023L-13
基本信息
DMN3023L-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由美台（Diodes Incorporated）公司生产。其设计旨在满足高效率开关和线性应用的需求，适用于广泛的电子设备中。该器件采用 SOT-23 封装，适合于表面贴装，能够有效地节省电路板空间。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 最大连续漏极电流（Id）: 6.2A（在 25°C 环境下）
- 驱动电压（Vgs）: 2.5V 至 10V
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值 25 毫欧 @ 4A, 10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 1.8V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 18.4nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 最大值 873pF @ 15V
- 功率耗散: 最大值为 900mW（在 25°C 环境下）
- 工作温度范围: -55°C 至 155°C （结温 TJ）
- 封装类型: SOT-23
应用场景
DMN3023L-13 的广泛应用场景包括：
电源管理: 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电源管理 IC，能够高效地调节电压和电流。
电机控制: 在电机驱动应用中，DMN3023L-13 提供高效开关和线性控制，适用于直流电机、无刷电机等。
高频应用: 由于其较低的导通电阻和较小的输入电容，DMN3023L-13 在高频开关电路中表现优异，适合用于开关电源和信号放大器。
消费电子: 该器件在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑内，支持电源管理和负载控制。
电气特性分析
导通电阻: DMN3023L-13 的 Rds(on) 值为 25 毫欧，这意味着在工作状态下，它能够以极低的损耗进行电流传递，因此能有效提升整体能效，特别是在需要持续高电流的应用中。
阈值电压: Vgs(th) 的最大值为 1.8V，这使得该 MOSFET 在较低的栅极电压下就能开始导通，适用于低电压驱动的应用。
温度特性: 该器件的工作温度范围达到 -55°C 至 155°C，表明其在高度苛刻的环境中仍能够稳定工作，因此适用于工业和汽车等应用领域。
封装和尺寸
配置为 SOT-23 封装，该器件具有小巧的体积，非常适合于现代便携式和紧凑型设备。SOT-23 封装不仅提供了优良的散热性能，还优化了电气连接，保证了电路的可靠性。
总结
DMN3023L-13 以其稳定的电气性能和高效的热管理特点，成为了众多电源管理、电机控制和高频应用中不可或缺的元件。无论是在消费电子，还是工业和汽车领域，凭借其高效、可靠的表现，DMN3023L-13 满足了现代电子产品设计的严格要求，是开发和设计中的理想选择。