APT13003DU-G1 产品实物图片
APT13003DU-G1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

APT13003DU-G1

商品编码: BM0086145709
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO-126
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.47
按整 :
管(1管有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.47
--
100+
¥1.13
--
1000+
¥0.944
--
2000+
¥0.858
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

APT13003DU-G1参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)450V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 250mA,1A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)5 @ 1A,2V功率 - 最大值20W
频率 - 跃迁4MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔封装/外壳TO-225AA,TO-126-3
供应商器件封装TO-126

APT13003DU-G1手册

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APT13003DU-G1概述

产品概述:APT13003DU-G1

APT13003DU-G1 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为需要高电流和高电压的应用场景而设计,具备广泛的适用性和可靠性。它由知名品牌 DIODES(美台)制造,封装类型为 TO-126,适合各种通孔安装的需求。

关键参数

  1. 晶体管类型

    • 本产品为 NPN 型晶体管,适合在需要增强型放大或开关作用的电路中使用。
  2. 电流和电压能力

    • 集电极电流 (Ic):最大值为 1.5A,能够满足大多数中高功率应用的需求。
    • 集射极击穿电压 (Vceo):最大击穿电压为 450V,使其适合于高电压环境下的工作,有助于提升电路的安全性和稳定性。
  3. 饱和压降

    • 当 Ic 为 250mA 或 1A 时,Vce 的饱和压降最大值为 400mV。这意味着在高负载情况下,能效保持良好,减少能量损耗。
  4. 增益特性

    • 在 Ic 为 1A 时,直流电流增益 (hFE) 的最小值为 5,提供良好的信号放大能力,适合用于需要更高增益的应用场景。
  5. 功率处理能力

    • 该器件的最大功率可以达到 20W,这为其在高功率应用中提供了足够的余量,确保稳健的工作性能。
  6. 频率响应

    • 该晶体管的跃迁频率达 4MHz,适用于需要快速开关的应用,如开关电源和RF放大器等。
  7. 环境兼容性

    • 工作温度范围从 -65°C 到 150°C,确保其在极端环境下的稳定性和长期使用的可靠性。

应用场景

APT13003DU-G1 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:其高电压和电流能力使其非常适合在各种开关电源设计中使用,能够有效地控制电能的转换与传送。
  • 信号放大:在音频和射频电路中,APT13003DU-G1 可用作信号放大器,帮助增强信号、提高系统的灵敏度。
  • 功率放大器:在放大器电路或RF发射器中,凭借其高增益和较低的饱和压降,APT13003DU-G1 可有效地转换和放大电流。
  • 电机驱动:可用于控制直流电机的开关和调速,适合于各种电机控制项目,包括电动工具和家居自动化设备。

封装与安装

APT13003DU-G1 采用 TO-126 封装,通孔安装设计使得其在 PCB 上的安装非常方便。这种封装规范广泛使用,具有良好的热管理特性,减少了在重负载下的过热风险。

结论

APT13003DU-G1 是一种性能优越的 NPN 晶体管,结合其高电流和电压规格、良好的电流增益以及宽广的工作温度范围,使其成为多种高性能电子电路的理想选择。无论是在开关电源、信号放大还是电机控制等领域,APT13003DU-G1 都能展现出卓越的性能和可靠性,是设计工程师进行高效电路设计时的重要考虑对象。