晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 450V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 250mA,1A |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 20W |
频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO-126 |
APT13003DU-G1 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为需要高电流和高电压的应用场景而设计,具备广泛的适用性和可靠性。它由知名品牌 DIODES(美台)制造,封装类型为 TO-126,适合各种通孔安装的需求。
晶体管类型:
电流和电压能力:
饱和压降:
增益特性:
功率处理能力:
频率响应:
环境兼容性:
APT13003DU-G1 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
APT13003DU-G1 采用 TO-126 封装,通孔安装设计使得其在 PCB 上的安装非常方便。这种封装规范广泛使用,具有良好的热管理特性,减少了在重负载下的过热风险。
APT13003DU-G1 是一种性能优越的 NPN 晶体管,结合其高电流和电压规格、良好的电流增益以及宽广的工作温度范围,使其成为多种高性能电子电路的理想选择。无论是在开关电源、信号放大还是电机控制等领域,APT13003DU-G1 都能展现出卓越的性能和可靠性,是设计工程师进行高效电路设计时的重要考虑对象。