DMC62D0SVQ-7
DMC62D0SVQ-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 571mA（Ta），304mA（Ta） | FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V，26pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 60V，50V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 510mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
DMC62D0SVQ-7手册
DMC62D0SVQ-7概述
DMC62D0SVQ-7 产品概述
基本信息
DMC62D0SVQ-7 是一款高性能 N 沟道和 P 沟道互补型 MOSFET 阵列，专为需要高效功率管理和转换的电子应用设计。这款 MOSFET 的额定电压分别为 60V（N 沟道）和 50V（P 沟道），能满足各种高压应用的需求。在封装方面，DMC62D0SVQ-7 采用 SOT-563 表面贴装封装，具有优良的散热性能和较小的占板空间，适合高密度电路板设计。
电气参数
导通电阻 (Rds(on)): 当漏极电流 Id 为 500mA，Vgs 为 10V，DMC62D0SVQ-7 在不同情况下的导通电阻最大为 1.7 欧姆（N 沟道）与 6 欧姆（P 沟道）。这一特性保证了在开关状态时的低功耗损耗，提高了系统效率。
连续漏极电流 (Id): DMC62D0SVQ-7 在额定工作温度 Ta 下，N 沟道的连续漏极电流可达到 571mA，而 P 沟道的最大额定电流为 304mA。这一高电流能力使其适用于驱动电机、灯具和其他负载。
开启电压 (Vgs(th)): 最多可在 Vgs 为 2.5V 下达到 250μA 的开启条件，意味着在较低电压情况下也能顺利导通，为低电压应用提供合适的解决方案。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容的最大值为 30pF（N 沟道）和 26pF（P 沟道）。小的输入电容值带来了更快的开关速度，有助于实现更高的开关频率，适合需要快速响应的电路应用。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷在不同情况下分别为 0.4nC 和 0.3nC（均为 4.5V）。小的栅极电荷值降低了驱动电路的功耗，提高了电源转换效率。
工作温度
DMC62D0SVQ-7 可在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，使其在环境苛刻的应用中，如汽车电子、工业控制等领域具有良好的适应能力。
应用场景
由于其优异的电气性能和可靠的工作温度范围，DMC62D0SVQ-7 适用于多种电子应用，包括但不限于：
电源管理：用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等场合，能够有效调节输出电压和电流，提升系统的整体效率。
电机驱动：高电流输出能力使其成为控制直流电机和步进电机的理想选择，广泛应用于电动工具、家用电器及机器人技术中。
LED 驱动：适用于 LED 灯具的驱动电路，提供稳定的电流控制，实现高效的照明解决方案。
信号开关：作为开关器件，DMC62D0SVQ-7 可用于音频、视频信号开关等场合，为多种消费电子产品提供灵活的控制能力。
总结
总的来说，DMC62D0SVQ-7 是一款品质卓越、性能优异的 MOSFET 阵列，结合了高电压、高电流和低功耗的特性，能够满足多种工业及消费类电子器件对功率转换和调节的需求。根据其广泛的应用场景和可靠的工作参数，DMC62D0SVQ-7 将成为电源管理和信号控制系统中不可或缺的核心器件。