DMP1022UFDF-13
DMP1022UFDF-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.8 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48.3nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2712pF @ 10V |
DMP1022UFDF-13手册
DMP1022UFDF-13概述
产品概述：DMP1022UFDF-13
DMP1022UFDF-13是一款由Diodes Incorporated制造的高性能P沟道MOSFET（场效应管），其设计用于满足现代电子电路中对高效能和高可靠性的要求。该器件采用表面贴装形式，封装型号为U-DFN2020-6（F类），适合在空间受限的应用中使用。
关键参数
漏源电压（Vdss）: DMP1022UFDF-13的最大漏源电压为12V，这使得它能够在多种低压电子应用中有效工作。
电流承载能力（Id）: 在25°C时，该MOSFET能够连续承载高达9.5A的漏极电流，这使得它在驱动负载时具备相当好的能力。
导通电阻（Rds(on)）: 当栅极电压Vgs为4.5V且电流Id为4A时，导通电阻的最大值为14.8毫欧，这一特性有助于降低能量损耗，提升电路的整体效率。
驱动电压: DMP1022UFDF-13在最大Rds(on)下可以在1.2V和4.5V的驱动电压下工作，使其在不同应用场景中更加灵活。
门阈值电压（Vgs(th)）: 该器件在250μA漏电流下的最大门阈值电压为800mV，意味着它具有较低的开关阈值，可以在较低的控制电压下工作。
功率耗散: DMP1022UFDF-13的最大功率耗散为730mW，具有良好的热管理能力，适合高密度布局的应用。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），能够在极端环境下稳定工作，适用于各种工业和汽车应用。
输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，该器件的输入电容最大值为2712pF，而在4.5V下的栅极电荷最大值为48.3nC，实现在频率较高的开关操作时的良好性能。
应用领域
DMP1022UFDF-13广泛应用于各种电子设备，包括但不限于：
- 电源管理: 可用于DC-DC转换器和电压调节器，以提高电源效率。
- 驱动电路: 该MOSFET适合用于电动机驱动电路，如直流电机和步进电机等。
- 负载开关: 适用于卫星器件、自动化控制和负载开关电路，能够实现低损耗的电源切换。
- 消费电子产品: 包括手机、电站等小型电源装置，适用于高效能电源管理设计。
总结
DMP1022UFDF-13是一款高效能的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围，为设计工程师在电源管理与驱动电路等领域提供了可靠的解决方案。无论是在汽车、工业还是各种消费电子应用中，DMP1022UFDF-13凭借其优异的性能和灵活的应用性，均能满足严苛的市场需求。若您正在寻找高效率、低导通电阻和宽工作环境适应性的场效应管，DMP1022UFDF-13无疑是一个值得考虑的优质选择。