注：图像仅供参考，请参阅产品规格
ZTX457STZ
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
EP3SC
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
单晶体管 双极 NPN 300 V 500 mA 1 W E-Line 通孔
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.14按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.14
--
50+
￥1.77
--
1000+
￥1.65
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZTX457STZ参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 带盒（TB） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 50mA，10V | 频率 - 跃迁 | 75MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | E-Line-3，成型引线 | 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | ZTX457 |
ZTX457STZ手册
无数据
ZTX457STZ概述
ZTX457STZ 产品概述
1. 产品简介
ZTX457STZ 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管，具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。其主要特点包括高电压承受能力、适中的电流增益以及适用于高频信号的特性，使得该器件在电子设备中的各种应用场景中都能发挥出色的性能。
2. 技术规格
ZTX457STZ 的相关技术规格如下：
- 制造商: Diodes Incorporated
- 封装: E-Line-3，兼容 TO-92 型封装
- 晶体管类型: NPN
- 工作温度范围: -55°C 至 200°C，适合苛刻环境下使用
- 最大集电极电流 (Ic): 500mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 300V
- 功率耗散: 1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE): 最小值 50 @ 50mA，10V
- 电流 - 集电极截止最大值 (ICBO): 100nA
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降 (最大值): 300mV @ 10mA，100mA
- 频率 - 跃迁: 75MHz
该晶体管的设计适应了现代电子设备对高效能和高可靠性的要求，而其集电极电流及电压参数则让其在许多应用中都具备相当强的适应性。
3. 应用领域
ZTX457STZ 可以广泛应用于多个领域，如下：
- 音频放大器: 利用其较高的电流增益，适合用于低级音频信号的放大，提供良好的信号质量。
- 开关电路: 高电压（最多 300V）和电流（最多 500mA）的能力使得 ZTX457STZ 适合于各种开关电源和相关控制电路。
- 高频信号处理: 其 75MHz 的跃迁频率适合用于高频应用，如 RF 发射器和接收器，也支持高频开关工作。
- 电源管理: 可在电源管理电路中作为开关元件使用，有助于提高转换效率。
- 电子开关: 可以在多种电子设备中作为数字开关元件使用，帮助实现更复杂的电路设计。
4. 性能优势
ZTX457STZ 的性能优势在于以下几个方面：
- 高耐压: 该器件的 300V 最大集射极击穿电压使得其在高压环境下仍能保持良好性能，减少因过压导致的故障风险。
- 低饱和压降: 300mV 的低饱和压降意味着在工作时能够更高效地传递信号，减少能量损失和发热。
- 高集电极电流: 其最大可承受 500mA 的集电极电流使得它适用于各种负载，相比同类产品提供了更大的灵活性。
- 高工作温度范围: 该器件的工作温度范围极广，使得它能够应用于极端环境的工业设备中。
5. 安装与封装
ZTX457STZ 采用通孔安装方式，以 E-Line-3 封装设计，可以方便地集成到各种电路板上。其兼容 TO-92 型封装设计也使得该产品容易通过市面上的通用布局进行焊接和组装。
6. 结论
ZTX457STZ 是一款高效、可靠的 NPN 晶体管，其出色的电气性能、广泛的应用领域及强大的工作特性使其成为电子工程师和设计师的理想选择。不论是用于音频放大、高频信号处理还是电源管理，该器件都能在各种应用中表现出优异性能，是现代电子产品设计中不可或缺的基础元器件之一。