DMNH6042SK3Q-13
DMNH6042SK3Q-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L | 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 584pF @ 25V |
DMNH6042SK3Q-13手册
DMNH6042SK3Q-13概述
DMNH6042SK3Q-13 产品概述
产品简介
DMNH6042SK3Q-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，专门设计用于汽车电子应用，并且符合 AEC-Q101 标准。这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252，具有四引脚的表面贴装型结构，非常适合现代小型化电子系统中的空间要求。
主要特性
电流能力: DMNH6042SK3Q-13 在 25°C 时的连续漏极电流（Id）可达 25A，最大瞬态电流（Idm）可达 40A，使其能够在高负载条件下稳定工作。
电压等级: 这款 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 60V，适合用于高电压电路中。
导通电阻: 在 Vgs 为 10V、Id 为 6A 的工作条件下，导通电阻（Rds(on)）的最大值为 50 毫欧，低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。
工作温度: DMNH6042SK3Q-13 在极端工作环境下表现优异，工作温度范围为 -55°C 至 175°C（TJ），使其适合于高温或低温条件下的汽车电子应用。
栅极驱动电压: 该元件的最大栅极驱动电压（Vgs）为 ±20V，确保在各种控制电压条件下都能可靠运行。
高频性能: 输入电容（Ciss）在 25V 条件下最大为 584pF，而栅极电荷（Qg）在 10V 条件下最大为 8.8nC。这些参数表明 DMNH6042SK3Q-13 在高频开关应用中具有良好的性能。
应用领域
DMNH6042SK3Q-13 主要应用于汽车领域，特别是用于电动汽车、传统汽车中的功率管理、驱动电机控制、LED 电子控制单元（ECU）、电源转换设备及其他嵌入式系统。同时也可应用于消费电子和工业设备等高可靠性要求的场合。
可靠性与合规性
作为一款符合 AEC-Q101 标准的产品，DMNH6042SK3Q-13 在设计和制造过程中经过严苛的测试，确保具备高可靠性和耐用性。这些特性使其成为在恶劣环境中可持续工作的理想选择，尤其是在汽车电子领域，可靠性始终是关键考量因素。
结论
DMNH6042SK3Q-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和良好的封装形式，为汽车和工业应用提供了可靠的解决方案。无论是电流处理能力、导通电阻，还是工作环境适应性，该元件均能满足高标准的应用需求，适合作为现代电子设备中的关键组件。在不断变化的电子市场中，DMNH6042SK3Q-13 以其卓越的性能和出色的稳定性，成为汽车电子领域不可或缺的选择。