DDTC142JU-7-F 产品实物图片
DDTC142JU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC142JU-7-F

商品编码: BM0084966338
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.243
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.243
--
150+
¥0.174
--
1500+
¥0.148
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC142JU-7-F参数

制造商Diodes Incorporated包装剪切带(CT)
零件状态Digi-Key 停产晶体管类型NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 10mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)470 Ohms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
基本产品编号DTC142

DDTC142JU-7-F手册

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DDTC142JU-7-F概述

DDTC142JU-7-F 产品概述

产品简介

DDTC142JU-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 预偏压晶体管,采用 SOT-323 封装形式,以其卓越的性能和多功能性广泛应用于各类电子设备中。此款晶体管的设计旨在满足低功耗应用需求,特别是在提供可靠的开关和放大功能时。凭借其出色的电气特性和小型表面贴装封装,DDTC142JU-7-F 是现代电子设计中的理想选择。

主要参数

  • 类型: NPN - 预偏压
  • 封装: SOT-323
  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • DC 电流增益 (hFE): 最小 56@10mA,5V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 300mV @ 250µA,5mA
  • 集电极截止电流 (Ic(max)): 500nA
  • 跃迁频率 (fT): 200MHz
  • 功率最大值: 200mW
  • 包装方式: 剪切带(CT)

应用场景

DDTC142JU-7-F 可广泛应用于各种需要开关能力和放大功能的领域,包括:

  1. 音频放大器: 在音频信号处理应用中,能够实现高增益和低失真的信号放大。
  2. 开关电路: 适用于各种开关场合,能够有效控制电流,进行开关操作。
  3. 组件驱动: 可用于驱动继电器和小型电机,控制大功率负载。
  4. 无线通信: 其高频特性使其适合用于 RF 放大器电路,提升信号强度和质量。

性能优势

  1. 高增益及低饱和压降: 具有良好的 DC 电流增益,使得在较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流,从而降低功耗。
  2. 宽电压工作范围: 可在 50V 的集射极击穿电压下稳定工作,适合多种电压环境的系统设计。
  3. 小型化设计: SOT-323 封装确保了空间的节省,便于在体积受限的电路板上使用,适用于便携式和紧凑型设备。
  4. 高频特性: 最大 200MHz 的跃迁频率使该晶体管适合高频率信号处理,并能够稳定工作在射频应用中。

设计考虑

在设计和实施基于 DDTC142JU-7-F 的电路时,应考虑以下几个方面:

  • 基极电阻配置: 使用 470Ω 的基极电阻 (R1) 和 10kΩ 的发射极电阻 (R2) 的设计能够提高电流增益,确保晶体管在适当的工作点上运行。
  • 散热管理: 尽管该器件的最大功率为 200mW,但在高负载条件下工作时,仍需进行适当的散热设计,以防止因过热导致性能下降或失效。
  • 电源稳定性: 确保稳定的供电电压对保持器件性能至关重要,尤其是在面对不同负载条件时。

结论

DDTC142JU-7-F 是一款快速、可靠、低功耗的 NPN 晶体管,适用于多种电子应用。其具有的高增益、低饱和压降及出色的频率响应,使其在多个领域具备广泛的应用潜力。无论是用于音频信号处理、开关电路,或是在无线通信中的 RF 放大应用,DDTC142JU-7-F 都是工程师和设计师的优选器件。