DMN63D8L-13

产品概述：DMN63D8L-13 N沟道MOSFET

基本信息

DMN63D8L-13是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高效能开关应用而设计，适用于多种电子设备和电源管理解决方案。该元件由DIODES（美台）生产，采用紧凑的SOT-23-3封装，便于表面贴装（SMD），具备高集成度和良好的散热性能，广泛应用于便携式电子设备、消费电子、计算机和通信设备的电源管理与控制。

主要参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 30V，确保在许多低压电源场合的安全操作。
• 连续漏极电流 (Id): 350mA（在25°C环境下），允许在小型化设计中实现强大的电流输出。
• 脉冲电流 (Idm): 1.2A，适合瞬时大电流负载的驱动需求。
• 最大功率耗散: 350mW，具有良好的热特性，适合高密度电路设计。
• 导通电阻 (Rds(on)): 2.8Ω @ 10V, 250mA，低导通电阻有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
• 驱动电压 (Vgs): 最小2.5V，最大10V和20V，提供灵活的驱动选择，满足不同电路的需求。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大1.5V @ 250µA，适合低电压逻辑控制，具备良好的兼容性。
• 栅极电荷 (Qg): 最大0.9nC @ 10V，低栅极电荷使得开关速度更快，响应时间更短。
• 工作温度范围: -55°C至150°C，适应严酷环境的要求，保证器件在高温与低温条件下的稳定性和可靠性。

封装

DMN63D8L-13采用SOT-23封装（TO-236-3, SC-59），其小型化和轻量化的特性，使该FET在空间受限的电路板设计中尤其适用。该封装设计支持多层电路板的高密度集成，有助于减小整体产品尺寸和重量。

应用领域

由于其优异的电性能和宽泛的工作温度范围，DMN63D8L-13适用于：

• 电源管理: 用于DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统。
• 开关应用: 例如在负载开关、马达驱动、照明控制等场合。
• 通信设备: 适合用于射频设计中，帮助提高信号完整性和系统稳定性。
• 消费电子: 广泛用于个人电子产品、音响设备播放系统以及小型电器中。

性能优势

DMN63D8L-13的设计旨在提供更好的能效及热管理方案，使其在许多领域中相比传统FET更为高效稳健。此外，该产品的低导通电阻和快速开关特性也让其在高频操作以及负载开关的高效能控制中表现出色，能为设计工程师提供灵活的设计选择，帮助开发创新的应用产品。

总结

DMN63D8L-13是一款性能卓越、极具性价比的N通道MOSFET，适用于高功率和高频率应用，凭借其小巧的封装、高效能及宽泛的工作范围，可以满足当代电子产品对高性能、高可靠性和低功耗的严格要求。对于希望在电源管理、高效开关及其它应用中实现良好系统性能的设计工程师而言，DMN63D8L-13无疑是一个理想的选择。