DDTA142TE-7-F 产品实物图片
DDTA142TE-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA142TE-7-F

商品编码: BM0084966071
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.282
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.282
--
150+
¥0.202
--
1500+
¥0.171
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA142TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)470 Ohms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA142TE-7-F手册

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DDTA142TE-7-F概述

DDTA142TE-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTA142TE-7-F 是一款高性能的 SOT-523 封装 PNP 型晶体管,专为各种低功耗应用而设计。作为一款预偏压晶体管,DDTA142TE-7-F 结合了出众的电流增益与高频响应,能够在各类电路中提供卓越的性能保障。由于其紧凑的安装尺寸和低功耗特性,使其成为消费电子、信号放大及开关控制等领域的理想选择。

二、基本参数

  1. 晶体管类型: PNP - 预偏压
  2. 集电极最大电流 (Ic): 100mA
  3. 集射极击穿电压 (Vce): 50V
  4. 基极电阻 (R1): 470Ω
  5. 直流电流增益 (hFE): 最小值为100 @ 1mA,5V
  6. 饱和压降 (Vce sat): 最大值为300mV @ 250µA, 5mA
  7. 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为500nA
  8. 跃迁频率: 200MHz
  9. 最大功率: 150mW
  10. 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  11. 封装类型: SOT-523

三、特性与优势

  1. 高电流增益与小饱和压降: DDTA142TE-7-F 显示出优良的电流增益特性,最低可达100。这一特性使得其在信号放大应用中更加高效,允许在较低的基极电流下驱动较大的集电极电流,并实现充分的信号放大。此外,其饱和压降低至300mV,使其在开关应用中能有效降低功耗,提高系统的总体能效。

  2. 优秀的频率响应: 其跃迁频率达到 200MHz,适用于高频信号的处理。在需要高频放大的应用中,该晶体管能够保证信号的稳定传递,避免时延和失真,保障了信号的保真度。

  3. 低截止电流: 最大集电极截止电流仅为500nA,意味着该器件在不工作时的漏电流非常小,有助于延长电池寿命,尤其适合便携式电子设备的设计。

  4. 紧凑的封装: SOT-523 封装占用空间小,适合现代小型化电子设备的设计需求。在进行PCB布局时,其高集成度可以有效节省电路板面积,并提高整体的设计灵活性。

四、应用领域

DDTA142TE-7-F 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  1. 消费电子: 如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等,广泛用于音频输出和电源管理。
  2. 信号放大: 在电子乐器、医疗设备及监测仪器中,作为信号放大器和驱动设备的核心元件。
  3. 开关电路: 屏幕背光控制、LED 灯驱动及电源控制单元中的开关应用。
  4. RF 应用: 由于其高频特性,可以作为射频放大器中的增益级。

五、结论

整体来看,DDTA142TE-7-F 是一款设计精良的 PNP 型晶体管,结合了小型化封装、低功耗、优秀的电流增益以及高准确度的开关特性,适合广泛应用于现代电子设备中。无论是在产品开发过程中还是在实际的市场应用中,DDTA142TE-7-F 都展现出了极高的性价比和可靠性,助力性能需求更高的电子设计。通过采用此产品,设计师能够更好地实现设计目标,满足不断变化的市场需求。