晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DCX142JU-7-F 是由美台 DIODES 公司制造的一款高性能双极晶体管(BJT),特为需要高度集成和低功耗的应用设计。这款器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,以预偏压式配置提供良好的性能,非常适合于开关和放大应用。这款元器件以 SOT-363 封装形式提供,便于在紧凑的电路板设计上进行表面贴装。
DCX142JU-7-F 产品在不同的 Ic 和 Vce 条件下,展现出良好的直流电流增益(hFE)。在 Ic 为 10mA ,Vce 为 5V 的条件下,该器件的 hFE 最小值为 56。这确保了该晶体管在工作期间能够实现良好的电流放大能力,使其成为多种放大器电路的理想选择。
根据应用需求,这款器件在使用过程中可能会面临饱和压降问题。当基极电流(Ib)为 250µA、集电极电流(Ic)为 5mA 时,Vce 饱和压降最大为 300mV,表明在低功耗应用中的延迟和功耗相对较小。这一特性有助于延长电池供电设备的使用时间,并改善整体电路性能。
基极电阻(R1)为 470 欧姆,发射极电阻(R2)为 10 千欧,这一稳定的电阻配置帮助实现晶体管的线性工作区域,确保更小的偏移量和更稳定的性能。
该元器件的表面贴装型(SMD)设计,采用 SOT-363 封装,使得其能够在紧凑的空间内实现高效集成。SOT-363 封装的尺寸小、引脚间距短,使其适用于现代电路板的高度集成需求。
DCX142JU-7-F 是一款多功能、高性能的双极晶体管,兼具了高集成度和可靠性。其优越的电流输出特性、较低的功耗以及适应性强的频率响应,使其在各类电子产品中都能表现出色。无论是在消费电子、工业设备还是通讯领域,这款器件都能够满足客户在技术与功能上的多重需求。选择 DCX142JU-7-F,将为您的电子设计提供强有力的支持。