DMG2302UK-13

产品概述：DMG2302UK-13

一、概述

DMG2302UK-13是一款高性能的N通道MOSFET，采用SOT-23封装，具有良好的电气特性，特别是在低功耗和高效率应用中表现优越。其主要特性包括最大漏源电压20V、连续漏极电流2.8A以及极低的导通电阻（Rds(on)），使其成为电源管理、直流-直流转换和开关电源等领域理想的选择。

二、技术参数

• FET类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流 - 连续漏极（Id）：2.8A（Ta）
• 驱动电压（Vgs）：2.5V 至 4.5V
• 导通电阻（Rds(on）：最大90毫欧@3.6A，4.5V
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大1V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大2.8nC @ 10V
• 最大栅极源极电压（Vgs）：±12V
• 输入电容（Ciss）：最大130pF @ 10V
• 功率耗散（最大值）：660mW（Ta）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装类型：SOT-23
• 封装规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

三、应用场景

DMG2302UK-13的设计使其适合广泛的电力和信号放大应用。具体应用包括：

1. 直流-直流转换器：在电源管理系统中，其低导通电阻和高电流能力提升了转换效率。
2. 开关电源：高闪烁频率、大动态范围的电源设计非常依赖高速开关元件，DMG2302UK-13满足了这一需求。
3. 电机驱动：其低功耗特性使得在电机控制和驱动应用中可以实现更高的效率和更少的热量产生。
4. 负载开关：能够在较小的栅极电压驱动下工作，使其可以作为负载开关使用，特别是在便携式设备或低电压应用中非常有效。
5. 手机、便携式设备：由于其小巧的SOT-23封装，DMG2302UK-13广泛应用于小型电子产品中。

四、性能优势

• 高电流处理能力：2.8A的连续漏极电流组合20V的漏源电压，为多种应用场合提供了充足的电流处理性能。
• 低导通电阻：最大90毫欧的导通电阻在一定的电流范围内提供了最小的功耗损失，能够有效降低系统的发热。
• 宽工作温度范围：-55°C至150°C的工作温度范围，使其在严苛环境下也能稳定工作，适用于工业领域。
• 快速切换能力：低栅极电荷和输入电容，使得DMG2302UK-13在频繁开关应用中表现出色，能快速响应控制信号。

五、结论

DMG2302UK-13作为一款功能丰富的N通道MOSFET，凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景，已成为电源管理、开关控制以及信号调理等领域中备受青睐的选择。其低功耗、高效率和可靠性价值使其在现代电子设备中不可或缺。因此，设计工程师在选择合适的功率开关元器件时，DMG2302UK-13无疑是一个值得考虑的重要候选产品。