DDTB123TU-7-F 产品实物图片
DDTB123TU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB123TU-7-F

商品编码: BM0084966061
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.388
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.388
--
50+
¥0.267
--
1500+
¥0.243
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB123TU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

DDTB123TU-7-F手册

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DDTB123TU-7-F概述

DDTB123TU-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTB123TU-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司推出的高性能 PNP 型表面贴装(SMD)晶体管,采用 SOT-323 封装,广泛应用于电子电路中的开关和放大器等场景。该器件以小巧的体积、优异的电性能和高工作频率为特点,适合多种消费电子产品、工业控制及通信设备。

二、主要特点

  1. 晶体管类型: DDTB123TU-7-F 属于 PNP 类型预偏压晶体管,具有良好的开关性能和线性放大特性,非常适合在需要反向电流控制的应用场合中使用。

  2. 电流和电压性能

    • 最大集电极电流 (Ic): 500mA,使得该器件能在较大的负载条件下工作,适用范围广泛。
    • 集射极击穿电压 (Vce): 最大50V,可承受较高的电压,这个特性使得 DDTB123TU-7-F 在电源管理和信号调节中表现优异。
  3. 电流增益

    • DDTB123TU-7-F 在不同的集电极电流 (Ic) 和集电极-发射极电压 (Vce) 下 mínimo DC 电流增益 (hFE) 可达到 100,且在 5V 的供电条件下,5mA 的基极电流 (Ib) 表现良好,这使得它适用于需要高增益的应用。
  4. 饱和压降

    • 最大饱和压降为 300mV,在 2.5mA 的基极电流和 50mA 的集电极电流下,这种低饱和压降有助于提高功率效率,减少信号失真的可能性。
  5. 低截止电流

    • 集电极截止电流 (ICBO) 最大 500nA,表现出良好的关断特性,适合需要低功耗待机状态的应用。
  6. 跃迁频率

    • 频率范围可达 200MHz,使得 DDTB123TU-7-F 能够满足高速信号处理的需求,非常适合在高频应用中使用,如 RF 放大器和混频器。
  7. 功率处理能力

    • 最大功率为 200mW,允许器件在多个条件下稳定工作,适合多种电路类型。
  8. 封装和安装

    • 采用 SOT-323 封装,表面贴装设计,使得其在现代自动化生产线中具备良好的装配性能,并且节省空间,适用于紧凑的电子设备。

三、应用领域

DDTB123TU-7-F广泛应用于如下领域:

  • 消费电子:如手机、平板电脑、便携式音箱和其他应用中需要开关和放大器的电路。
  • 工业控制:用于自动化设备和传感器接口,提供可靠的信号放大和转换。
  • 通信设备:在无线通信模块、射频模块等高频电路中,用于信号放大和处理。
  • 电源管理:可用于各种开关电源和直流-直流转换器中,以控制输出电流和电压,从而提高系统的整体效率。

四、总结

综上所述,DDTB123TU-7-F 是一款极具性价比的 PNP 表面贴装晶体管,凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用场景,必将在现代电子产品设计中得到广泛应用。对于需要高可靠性、低功耗、高频率操作的电子项目,该器件无疑是一个理想的选择。