DDTD114TU-7-F
DDTD114TU-7-F参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DTD114 |
DDTD114TU-7-F手册
DDTD114TU-7-F概述
DTD114TU-7-F 产品概述
一、基础信息
DTD114TU-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 零件，采用表面贴装型封装（SOT-323），主要用于频率较高的电子电路。其核心优势在于高增益、低饱和压降和相对较低的截止电流，使其适用于多种广泛的应用场景，如信号放大、开关电路等。
二、关键参数
- 制造商：Diodes Incorporated
- 封装类型：SOT-323
- 工作状态：有源
- 电流 - 集电极 (Ic)：最大 500mA
- 电压 - 集射极击穿 (Vce(max))：最大 50V
- 频率 - 跃迁：200MHz
- 功率 - 最大值：200mW
- 电流 - 集电极截止 (ICBO)：最大 500nA
- DC 电流增益 (hFE)：最小 100 @ 5mA，5V
- 饱和压降 (Vce(sat))：最大 300mV @ 2.5mA，50mA
三、性能特点
1. 高电流增益
DTD114TU-7-F 提供了最小 100 的 DC 电流增益，允许在小的基极电流（Ib）下实现较大的集电极电流（Ic）。对于需要高增益的应用，这一特性使得其在各种放大器设计中成为理想选择。
2. 低饱和压降
该晶体管的饱和压降最大为 300mV，意味着在开关操作时其功耗较低，这对于电池供电或能效要求较高的应用而言尤为重要。
3. 高接收频率特性
具有 200MHz 的跃迁频率，使得 DTD114TU-7-F 可用于高频信号的处理，是提升电路性能的关键。
4. 集电极截止电流低
最大 500nA 的集电极截止电流（ICBO）在待机状态下几乎不产生电流，有效降低了功耗并延长了设备的使用寿命。
5. 优越的击穿电压
该组件具有高达 50V 的电压耐受能力，允许在多种电压环境下稳定工作，适合广泛的应用需求。
四、应用领域
DTD114TU-7-F 的设计使其在各种电子设备中得到广泛应用，包括但不限于：
- 信号放大器：在音频和射频放大器中，能够实现较高的增益效果。
- 开关电路：适用于高效的电源管理和电子开关应用。
- 无线设备：由于其高频响应，适合用于射频和无线通信的电路设计。
- 电流源：可作为电流源或电流镜应用于电路设计。
五、封装说明
SOT-323 封装的优势在于其小型化，使得 DTD114TU-7-F 可以嵌入更紧凑的电路设计中，同时表面贴装的特性便于自动化生产，提高了生产效率和可靠性。
六、结论
总体而言，DTD114TU-7-F 是一款具有高增益、低功耗和高频应用能力的 NPN 晶体管，非常适合现代电子设备的多样化需求。无论是在低功耗的便携式设备，还是在高频的通信系统中，该元件都能提供出色的性能表现，成为设计工程师的优质选择。随着电子技术的不断进步以及对功能小型化和性能高效化的追求，DTD114TU-7-F 的应用必将愈加广泛。