DDTB142JU-7-F 产品实物图片
DDTB142JU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTB142JU-7-F

商品编码: BM0084966055
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.37
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.37
--
50+
¥0.254
--
1500+
¥0.232
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB142JU-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)470 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB142JU-7-F手册

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DDTB142JU-7-F概述

DDTB142JU-7-F 产品概述

DDTB142JU-7-F 是一款高性能的表面贴装型 PNP 晶体管,由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产。该器件采用 SOT-323 封装,具备出色的电气性能和优异的热稳定性,广泛应用于各种信号放大和开关电路中,适合在现代电子产品中实现高效精确的控制。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流(Ic):500mA
  • 最大集射极击穿电压(Vceo):50V
  • 基极电阻(R1):470 Ohms
  • 发射极电阻(R2):10 kOhms
  • DC 电流增益 (hFE):在不同的 Ic 和 Vce 条件下,最低可达 56,具体条件为 50mA 和 5V。
  • 饱和压降(Vce(sat)):在 2.5mA 基极电流和 50mA 集电极电流的条件下,最大饱和压降为 300mV。
  • 最大集电极截止电流:500nA
  • 跃迁频率:200MHz
  • 最大功率:200mW
  • 封装类型:表面贴装,采用 SOT-323 封装

应用场景

DDTB142JU-7-F 的特性使其非常适合用于多种应用场景,包括:

  1. 音频放大器:由于其较高的 DC 电流增益和较低的饱和压降,此晶体管能够在音频信号处理电路中提供理想的增益和失真控制。

  2. 开关电路:在电源管理和信号开关电路中,其最大集电极电流能够满足大多数场合的需求,是设计高效开关电路的理想选择。

  3. 线性放大器:DDTB142JU-7-F 在小信号特性方面表现优异,适合用作线性放大器,处理传感器信号和其他低电平信号。

  4. 电源稳压器:通过与其他元器件的配合,该晶体管可以应用于电源稳压电路,确保输出电压的稳定。

  5. 小型电子设备:由于其小型 SOT-323 封装形式,使得 DDTB142JU-7-F 非常适合嵌入式系统和小型电子设备中,如消费电子产品、无线通信设备、便携式仪器等。

设计考虑

在设计中使用 DDTB142JU-7-F 时,需要注意以下几点:

  • 热管理:虽然该元件的最大功率为 200mW,但在高负载条件下依然需要考虑散热问题,确保其工作在安全的温度范围内。

  • 偏置电路:在使用 PNP 晶体管时,必须正确设计基极偏置电路,以确保其在所需操作点上稳定工作,避免偏置不足导致的工作不正常。

  • 应用环境:在高频应用中,由于其跃迁频率为 200MHz,需要考虑布线和其他电路元件对高频性能的影响,确保良好的信号完整性。

总结

DDTB142JU-7-F 是一款功能丰富、性能稳定的 PNP 晶体管,适合用于多种电子应用中的信号处理和开关控制。其高增益、低饱和压降和小型封装特点,使其成为设计师在选择元器件时的理想选择。随着现代电子技术的持续进步,DDTB142JU-7-F 将在更加广泛的领域内发挥作用,实现更加灵活和高效的电路设计。