DMG3415UFY4-7
DMG3415UFY4-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 16V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 281.9pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2015H4-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMG3415UFY4-7手册
DMG3415UFY4-7概述
产品概述：DMG3415UFY4-7
基本信息
DMG3415UFY4-7 是一款高性能的P通道MOSFET，专为各种电子应用而设计。该器件的关键特性包括其低导通电阻、宽工作温度范围和小型表面贴装封装，使其适用于严苛的环境和空间受限的应用场景。DMG3415UFY4-7具有最大漏源电压（Vds）为16V，连续漏极电流（Id）为2.5A，功耗最大可达400mW，是设计小型电源管理和开关控制电路的理想选择。
关键特性
电源性能：在25°C环境下，DMG3415UFY4-7表现出持续流过2.5A的能力，适合对功耗有较高要求的应用。其最大漏源电压为16V，这一特性使其能够处理多种工作条件，同时确保了设备的稳定性和安全性。
低导通电阻：该MOSFET在4.5V的栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）低至39毫欧，对于4A电流的应用是非常理想的。这一低导通电阻特性有助于降低功耗，提高电能利用效率，适用于电池供电或能量受限的产品中。
高效驱动电压：DMG3415UFY4-7支持1.8V至4.5V的栅源电压范围，这使得它可以与各种逻辑电平兼容的控制信号直接配合使用，有效简化电路设计，并降低设计复杂性。
宽温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了其在严酷环境下的可靠性。这一特性使其适合于汽车电子、工业控制及其他要求高温或低温操作的应用场合。
小型化设计：DMG3415UFY4-7采用DFN2015H4-3封装，封装尺寸小，有利于提高设备的集成度和减小整体尺寸。这使得该器件尤其适合于现代紧凑型电子设备的设计，如智能手机、便携式设备以及高密度PCB设计。
低输入电容：在10V的条件下，输入电容（Ciss）最大达到281.9pF，这意味着在高频交易和开关操作中，器件能够快速响应，提供更高的开关速度，从而优化电源的工作效率。
应用场合
DMG3415UFY4-7的特性使其广泛适用于众多领域，包括但不限于：
- 电源开关：适合用于直流-直流转换器、蓄电池驱动电源等。
- 负载开关：可用于控制电流的开关，适合智能家居产品和便携设备。
- 汽车电子：由于其宽温范围和高可靠性，DMG3415UFY4-7可用于汽车电源管理系统。
- 工业控制：适合用于工业自动化控制系统中的驱动电路，确保设备的高效运作。
结论
综上所述，DMG3415UFY4-7是一款高效、可靠且具备出色电气性能的P通道MOSFET，适合用于多种电子设计和实现中。其小型化设计和广泛的应用适用性使其成为现代电子设备不可或缺的组成部分，特别是在需要节能和高密度设计的领域。选用DMG3415UFY4-7将为产品性能和可靠性提供强有力的保障。