晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DTD114GC-7-F 是一款高性能 NPN 型晶体管,采用表面贴装技术(SMT),适用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。它具有良好的电气特性,适合工作在频率高达 200MHz 的环境中。此外,凭借其小巧的 SOT-23-3 封装,DTD114GC-7-F 可以轻松集成到紧凑的电路设计中,为各种消费电子、通信和自动化设备提供理想的解决方案。
DTD114GC-7-F 的设计使其在高频率应用中表现出色,频率响应可达 200MHz,适合于诸如 RF 放大器、混频器和信号处理电路等高频性能要求较高的场合。此外,其 500mA 的集电极电流能力以及 50V 的击穿电压,使其在多种实际应用中能够满足高功率和高电压的需求。
这款晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 在给定条件下达到 56,确保其在真实应用中具有良好的电流放大能力,提高了其在信号链路中的作用。由于具有较低的 Vce 饱和压降(最大值为 300mV),在开关应用中,会导致功耗减少,从而提高整体电路的效率。
DTD114GC-7-F 广泛应用于以下领域:
总之,DTD114GC-7-F 的主要特点和性能指标使其成为现代电子设计中一款实用且高效的 NPN 型晶体管选择。无论是在高频应用还是日常电子产品中,它的多功能性和高可靠性都显得尤为重要。结合其强大的应用潜力,DTD114GC-7-F 在市场上无疑是一款备受青睐的元器件。