DDTD114GC-7-F 产品实物图片
DDTD114GC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD114GC-7-F

商品编码: BM0084965566
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.395
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.395
--
50+
¥0.272
--
1500+
¥0.248
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD114GC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTD114GC-7-F手册

empty-page
无数据

DDTD114GC-7-F概述

DDTD114GC-7-F 产品概述

1. 产品简介

DTD114GC-7-F 是一款高性能 NPN 型晶体管,采用表面贴装技术(SMT),适用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。它具有良好的电气特性,适合工作在频率高达 200MHz 的环境中。此外,凭借其小巧的 SOT-23-3 封装,DTD114GC-7-F 可以轻松集成到紧凑的电路设计中,为各种消费电子、通信和自动化设备提供理想的解决方案。

2. 关键参数

  • 晶体管类型: NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce) 最大值: 50V
  • 发射极电阻 (R2): 10 kOhms
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值为 56(在 Ic = 50mA,Vce = 5V 时)
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值为 300mV(在 Ib = 2.5mA,Ic = 50mA 时)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为 500nA
  • 频率 - 跃迁: 200MHz
  • 功率最大值: 200mW
  • 封装类型: SOT-23-3
  • 供应商器件封装: SOT-23-3

3. 性能特征

DTD114GC-7-F 的设计使其在高频率应用中表现出色,频率响应可达 200MHz,适合于诸如 RF 放大器、混频器和信号处理电路等高频性能要求较高的场合。此外,其 500mA 的集电极电流能力以及 50V 的击穿电压,使其在多种实际应用中能够满足高功率和高电压的需求。

这款晶体管的 DC 电流增益 (hFE) 在给定条件下达到 56,确保其在真实应用中具有良好的电流放大能力,提高了其在信号链路中的作用。由于具有较低的 Vce 饱和压降(最大值为 300mV),在开关应用中,会导致功耗减少,从而提高整体电路的效率。

4. 应用场景

DTD114GC-7-F 广泛应用于以下领域:

  • 消费电子:如电视、音响系统和计算机周边设备,音频放大和信号处理。
  • 通信设备:如无线通信和数据传输电路中,提供信号放大和处理。
  • 工业自动化:用于传感器和执行器的信号放大,保证系统稳定性和抗干扰性。
  • 汽车电子:在汽车信息娱乐系统和电源管理模块中提供高效信号开关与放大。

5. 安装与使用注意事项

  • 安装类型:标准 SOT-23-3 封装,便于自动化贴装和手工焊接。
  • 散热管理:虽然 DDTD114GC-7-F 的最大功率为 200mW,但在设计电路时,仍需考虑散热问题,确保晶体管在有效工作范围内。

6. 结论

总之,DTD114GC-7-F 的主要特点和性能指标使其成为现代电子设计中一款实用且高效的 NPN 型晶体管选择。无论是在高频应用还是日常电子产品中,它的多功能性和高可靠性都显得尤为重要。结合其强大的应用潜力,DTD114GC-7-F 在市场上无疑是一款备受青睐的元器件。