DDC122TU-7-F 产品实物图片
DDC122TU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDC122TU-7-F

商品编码: BM0084965561
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.428
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.428
--
50+
¥0.296
--
1500+
¥0.269
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDC122TU-7-F参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)220 欧姆
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

DDC122TU-7-F手册

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DDC122TU-7-F概述

DDC122TU-7-F 产品概述

产品简介

DDC122TU-7-F 是一款高性能的 NPN 预偏压式双晶体管,特别设计用于各种低功耗应用,如便携式电子设备、信号放大和开关电路。该器件采用紧凑的 SOT-363 封装,适应于表面贴装技术 (SMT),满足现代电子设备对空间和性能的双重要求。

主要特性

  1. 双 NPN 结构:DDC122TU-7-F 包含两个 NPN 晶体管,适合在一个单元内实现多种功能,如开关和放大,提供设计灵活性和集成度。

  2. 电流和电压特性

    • 集电极电流 (Ic):最大值为 100mA,能够处理多种负载条件,适合低功耗应用。
    • 集射极击穿电压 (Vce(max)):高达 50V,保证在电源变动或负载波动时仍然具有良好的稳定性。
  3. 频率表现:具备高达 200MHz 的跃迁频率,适合在高频应用中工作,能有效地处理快速变化的信号。

  4. 增益特性:在 1mA、5V 条件下,DC 电流增益 (hFE) 最小为 100,提供出色的信号放大能力,适合于各种放大电路。

  5. 饱和压降:在 250µA 和 5mA 的工作条件下,Vce 的饱和压降最大值为 300mV,降低了功耗并提高了电路的整体效率。

  6. 功率处理能力:该器件的最大功率为 200mW,适合于中等功率的驱动应用。

  7. 灵活的安装方式:由于采用表面贴装型设计,该器件适用于现代自动化生产线的快速组装和高密度电路板布局。

  8. 封装信息:DDC122TU-7-F 采用 SOT-363 封装,其尺寸适合于空间受限的设计,使其在各种消费电子和工业用途中特别受欢迎。

应用场景

DDC122TU-7-F 可广泛应用于以下领域:

  • 便携式设备:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,因其低功耗及小型化设计而成为理想选择。
  • 信号放大:在音频设备和视频信号处理电路中,可以提供强大的信号放大能力。
  • 开关电路:在电源管理和控制电路中,其高开关频率特性使其能够有效执行快速开关任务。
  • 传感器接口:在各种传感器应用中,该器件可用作信号调理或传输的前端放大器。

设计注意事项

在使用 DDC122TU-7-F 时,设计师需注意以下几点:

  • 散热设计:尽管其功率极限为 200mW,合理的热管理仍然是确保器件可靠性的关键。
  • 匹配负载:在高频应用中,考虑传输线的匹配,可以减少反射损失,提高信号完整性。
  • 电源去耦:添加适当的旁路电容,以确保稳定的电源电压和减少高频的噪声干扰。

总结

作为 DIODES(美台)提供的一款高性能双 NPN 晶体管,DDC122TU-7-F 以其优异的电气性能、紧凑的封装设计和广泛的应用适用性,成为工程师和设计师们在开发新产品时的理想选择。无论是在便携式设备还是复杂的数字电路中,其性能均令人满意,为设备的稳定性和效率提供了可靠支持。