晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DDC122TU-7-F 是一款高性能的 NPN 预偏压式双晶体管,特别设计用于各种低功耗应用,如便携式电子设备、信号放大和开关电路。该器件采用紧凑的 SOT-363 封装,适应于表面贴装技术 (SMT),满足现代电子设备对空间和性能的双重要求。
双 NPN 结构:DDC122TU-7-F 包含两个 NPN 晶体管,适合在一个单元内实现多种功能,如开关和放大,提供设计灵活性和集成度。
电流和电压特性:
频率表现:具备高达 200MHz 的跃迁频率,适合在高频应用中工作,能有效地处理快速变化的信号。
增益特性:在 1mA、5V 条件下,DC 电流增益 (hFE) 最小为 100,提供出色的信号放大能力,适合于各种放大电路。
饱和压降:在 250µA 和 5mA 的工作条件下,Vce 的饱和压降最大值为 300mV,降低了功耗并提高了电路的整体效率。
功率处理能力:该器件的最大功率为 200mW,适合于中等功率的驱动应用。
灵活的安装方式:由于采用表面贴装型设计,该器件适用于现代自动化生产线的快速组装和高密度电路板布局。
封装信息:DDC122TU-7-F 采用 SOT-363 封装,其尺寸适合于空间受限的设计,使其在各种消费电子和工业用途中特别受欢迎。
DDC122TU-7-F 可广泛应用于以下领域:
在使用 DDC122TU-7-F 时,设计师需注意以下几点:
作为 DIODES(美台)提供的一款高性能双 NPN 晶体管,DDC122TU-7-F 以其优异的电气性能、紧凑的封装设计和广泛的应用适用性,成为工程师和设计师们在开发新产品时的理想选择。无论是在便携式设备还是复杂的数字电路中,其性能均令人满意,为设备的稳定性和效率提供了可靠支持。