制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 带盒(TB) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 250mA,1A | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 13 @ 500mA,2V |
频率 - 跃迁 | 4MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
供应商器件封装 | TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 465V | 功率 - 最大值 | 1.1W |
APT13003EZTR-G1 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 类型的晶体管,旨在满足现代电子电路对高功率和高电压的需求。这款晶体管采用了 TO-92 封装,具有良好的散热性能和易于安装的特点,非常适合用于通孔电路设计。
APT13003EZTR-G1 的核心规格包括:
APT13003EZTR-G1 在特定的电流条件下表现出良好的直流电流增益(hFE),在 Ic 为 500mA,Vce 为 2V 的条件下,hFE 的最小值为 13。这意味着在低电流驱动下,能够有效地放大输入信号,适用于多种线性放大电路。
在额定条件下,APT13003EZTR-G1 的饱和压降(Vce(sat))表现出色。在 Ic 为 250mA 时,最大饱和压降为 400mV,这对于降低功耗和提升效率至关重要。该特性使其在开关电源和驱动电路中成为优选元件。
由于其卓越的电气参数和宽广的工作温度范围,APT13003EZTR-G1 适用于多个应用领域,包括但不限于:
APT13003EZTR-G1 采用 TO-92 的封装形式,是一种常见的塑料封装形式,具有小尺寸和良好的可靠性。可通过通孔式安装,方便电路设计和制作。因此,工程师在设计 PCB 时易于集成,尤其适用于高密度的布局。
APT13003EZTR-G1 是一款高性能 NPN 晶体管,具备优良的电气性能和广泛的应用潜力。它结合了高电压、高电流处理能力以及适用于宽广温度范围的特性,成为各种电子设备中不可或缺的基础组件。无论是在消费电子、工业自动化,还是在高频电子设备中,该器件都能发挥重要作用。对于设计工程师而言,这款晶体管提供了极大的灵活性和可靠性,是实现高效能电路设计的理想选择。