APT13003EZTR-G1 产品实物图片
APT13003EZTR-G1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

APT13003EZTR-G1

商品编码: BM0084965557
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO92
包装 : 
编带
重量 : 
0.129g
描述 : 
三极管(BJT) 1.1W 465V 1.5A NPN TO-92-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.564
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.564
--
50+
¥0.389
--
1000+
¥0.354
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

APT13003EZTR-G1参数

制造商Diodes Incorporated包装带盒(TB)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 250mA,1A不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)13 @ 500mA,2V
频率 - 跃迁4MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔封装/外壳TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装TO-92电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)465V功率 - 最大值1.1W

APT13003EZTR-G1手册

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APT13003EZTR-G1概述

APT13003EZTR-G1 产品概述

APT13003EZTR-G1 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 类型的晶体管,旨在满足现代电子电路对高功率和高电压的需求。这款晶体管采用了 TO-92 封装,具有良好的散热性能和易于安装的特点,非常适合用于通孔电路设计。

1. 主要参数

APT13003EZTR-G1 的核心规格包括:

  • 最大集电极电流 (Ic): 1.5A,这使得产品适用于需要较大电流处理的应用场合。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 465V,提供了良好的电压抗扰能力,能够稳定工作在高电压环境下。
  • 最大功率耗散: 1.1W,具备足够的功率处理能力,适合各种放大或开关电路。
  • 截止频率: 4MHz,支持高频操作,适用于一些高频应用场景。
  • 工作温度范围: -65°C 至 150°C,宽广的温度范围使其能够在苛刻的环境中正常工作。

2. 直流电流增益 (hFE)

APT13003EZTR-G1 在特定的电流条件下表现出良好的直流电流增益(hFE),在 Ic 为 500mA,Vce 为 2V 的条件下,hFE 的最小值为 13。这意味着在低电流驱动下,能够有效地放大输入信号,适用于多种线性放大电路。

3. 饱和压降

在额定条件下,APT13003EZTR-G1 的饱和压降(Vce(sat))表现出色。在 Ic 为 250mA 时,最大饱和压降为 400mV,这对于降低功耗和提升效率至关重要。该特性使其在开关电源和驱动电路中成为优选元件。

4. 应用场景

由于其卓越的电气参数和宽广的工作温度范围,APT13003EZTR-G1 适用于多个应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 可满足高效能电源转换的需求,因其良好的饱和压降和频率特性,适合在各种 DC-DC 转换器中使用。
  • 放大器电路: 由于其高 hFE 特性,可以用于低信号放大,应用于音频放大器、无线接收器等。
  • 功率驱动电路: 适合用于驱动继电器、电机等负载,在家电和工业设备中有广泛应用。
  • 信号处理: 在相关信号处理电路中,APT13003EZTR-G1 可用于实现信号放大和转换。

5. 封装与安装

APT13003EZTR-G1 采用 TO-92 的封装形式,是一种常见的塑料封装形式,具有小尺寸和良好的可靠性。可通过通孔式安装,方便电路设计和制作。因此,工程师在设计 PCB 时易于集成,尤其适用于高密度的布局。

6. 总结

APT13003EZTR-G1 是一款高性能 NPN 晶体管,具备优良的电气性能和广泛的应用潜力。它结合了高电压、高电流处理能力以及适用于宽广温度范围的特性,成为各种电子设备中不可或缺的基础组件。无论是在消费电子、工业自动化,还是在高频电子设备中,该器件都能发挥重要作用。对于设计工程师而言,这款晶体管提供了极大的灵活性和可靠性,是实现高效能电路设计的理想选择。