晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧,100 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz,200MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SC-74R |
DIMD10A-7 是一款高性能的集成电路组件,由美台(DIODES)公司设计并制造,专为需要高效电流控制的应用场景而开发。作为一款预偏压式双晶体管,这个元件包含了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,能够在多种电路应用中提供优异的电流放大和开关特性。
DIMD10A-7 的设计中集成了多个重要的电气参数,以确保其能够满足各种严苛的应用要求。在集电极电流(Ic)方面,该元件可以承受高达 100mA 和 500mA 的电流。在电压上,DIMD10A-7 至少具备 50V 的集射极击穿电压,保证了其在高电压环境中的安全运行。
DIMD10A-7 具备功率最大值可达 300mW,适合中等功率应用。此外,其跃迁频率分别为 250MHz 和 200MHz,使得此元件非常适合高频场合,如射频(RF)应用、音频放大器及快速切换电路。
在不同工作条件下,此产品所提供的直流电流增益(hFE)最低可达 100 (@ 1mA, 5V),这表明该器件在低电流条件下仍然能够保持良好的增益特性。对于饱和压降,其在不同基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下的最大值为 300mV,这对于电源效率至关重要。
为了确保兼容多种电路设计,DIMD10A-7 设定的基极电阻(R1)可以在 10kΩ 和 100Ω 之间选择,发射极电阻(R2)为 10kΩ。这种灵活的电阻设定允许设计师针对不同的应用及要求灵活调整电路参数。
DIMD10A-7 还具有低达 500nA 的集电极截止电流,这使其在待机模式下能够显著降低能耗,适合电池供电或长时间待机的应用场合。
由于其出色的性能指标,DIMD10A-7 可广泛应用于各种领域,包括但不限于:
DIMD10A-7 的安装类型为表面贴装型,采用 SOT-26(SC-74R)封装。这种设计使其在PCB(印刷电路板)上具有良好的空间利用性和便于焊接的特点,尤其适合空间紧张的现代电子产品设计需求。
综上所述,DIMD10A-7 是一款极具竞争力的双晶体管解决方案,凭借其优异的电气特性和灵活的应用能力,能够有效满足各种应用中的高性能需求。无论是在音频、通信还是工业控制领域,DIMD10A-7 都能发挥出色的性能,为现代电子产品的设计与开发提供强有力的支持。