晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 220 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
DDA122LH-7 是由 DIODES(美台)公司生产的一款高性能 PNP 晶体管。它适用于低功耗电子电路,广泛应用于开关电源、信号处理、电机控制和其他需要高增益和良好频率响应的应用场景。该器件采用表面贴装结构(SMD),封装类型为 SOT-563,具有小型化和易于自动化生产的优点。
晶体管类型: DDA122LH-7 是一种双 PNP 晶体管,设计上适用于预偏压驱动电路,能够在各种动态和静态条件下有效工作。
电流和电压特性:
增益特性:
饱和压降:
截止电流:
频率特性:
功率特性:
电阻参数:
封装及安装类型:
DDA122LH-7 适合各种低功耗和小型化的电子应用,主要应用于:
作为一款高性能的 PNP 晶体管,DDA122LH-7 在确保高效能和稳定性的同时,辅助现代电子设备实现小型化和高集成度。无论是在设计新产品还是替换现有元件,选择 DDA122LH-7 都能提升电子设计的质量和可靠性。