晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 欧姆 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
DDA142JH-7是一款由DIODES(美台)公司制造的双PNP晶体管,专为高效、小型化电子设备设计,该产品采用SOT-563封装,具有优良的电气特性和广泛的应用场景。 DDA142JH-7的主要特点包括其高集电极电流承载能力、较低的饱和压降以及适用于频率达到200MHz的特性,这使得它在各种现代电子电路中表现出色。
晶体管类型: DDA142JH-7为双PNP预偏压式设计,集成了两个PNP晶体管,适合需要高性能与小型化解决方案的电路应用。
电流与电压特性:
增益与饱和压降:
频率响应: DDA142JH-7在200MHz的跃迁频率适用于高频工作场合,适合于射频放大器和高速开关应用。
功率与安装类型:
电阻器配置:
由于其优越的电气特性,DDA142JH-7广泛应用于便携式电子设备、电源管理、信号放大及开关电路、音频信号处理等领域。特别是在手机、平板电脑、智能家居设备以及其他小型电子产品设计中,DDA142JH-7可以作为关键的信号放大器和开关元件,帮助提升整体电路的性能与稳定性。
DDA142JH-7凭借其双PNP结构、卓越的电气特性和小型化设计,是现代电子设计中不可或缺的元器件。作为DIODES(美台)的一款高品质产品,其在电源管理、信号放大及高速开关应用中的适用性使其成为电子工程师的理想选择。选择DDA142JH-7,不仅可以提高设计的灵活性,更能确保电路在复杂工作环境中的可靠性与高效性。