DMP2170U-13

DMP2170U-13 产品概述

DMP2170U-13是一款高性能P沟道MOSFET，专为各种电子应用而设计，尤其适用于低电压和高效率的电源管理、开关电源和负载驱动电路。该器件由DIODES（美台）公司制造，其优秀的规格和可靠的性能，使其成为许多现代电子设备中不可或缺的元器件。

1. 关键规格

DMP2170U-13具有以下主要参数：

• FET类型: P沟道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 最大漏源电压 (Vdss): 20V
• 25°C时的连续漏极电流 (Id): 3.1A（在环境温度条件下）
• 驱动电压: 2.5V（最小）和4.5V（最大Rds On）
• 导通电阻 (Rds On): 最大90毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 起始栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大1.25V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大7.8nC @ 10V
• 最大栅源电压 (Vgs): ±12V
• 输入电容 (Ciss): 最大303pF @ 10V
• 功率耗散: 最大780mW（在环境温度条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温）
• 封装类型: SOT-23，适合表面贴装

2. 应用场景

DMP2170U-13广泛应用于多个领域，如：

• 开关电源（SMPS）： 能够高效地切换电源传输，降低待机功耗。
• 负载开关： 在需要快速切换电源的应用中，如电池管理系统、LED驱动等。
• 马达驱动电路： 适合用于小功率马达的开关控制，实现高效的马达驱动。
• 电源管理IC： 作为电源管理集成电路中的开关元件，具备出色的电能转换效率。

3. 性能优势

DMP2170U-13的设计具备多项性能优势：

• 低导通电阻： 最大90毫欧的导通电阻在高电流情况下能够有效降低功率损耗，提升系统的整体效率。
• 低阈值电压： 最大1.25V的阈值电压确保器件在低电压下也能可靠工作，适应多种低电压应用。
• 宽工作温度范围： -55°C至150°C的工作温度范围确保DMP2170U-13在极端环境下依然稳定可靠，适用性广泛。
• 小巧的封装设计： SOT-23的表面贴装封装节省了PCB空间，适合小型化设计的现代电子产品。

4. 封装和安装

DMP2170U-13采用SOT-23封装，这是一种广泛应用于各种电子设备的小型化封装。SOT-23的持续发展和高集成度使其在移动设备、消费电子和工业控制领域中占有重要地位。由于其良好的散热性能和便于自动化贴装的设计，确保了器件在生产过程中实现高度集成和简化操作。

5. 总结

总体来看，DMP2170U-13是一款能够满足现代电子设备多样化需求的P沟道MOSFET。其出色的电气性能和可靠性，结合小型化的封装设计，使其成为设计师在开发开关电源、负载控制和电源管理系统时的理想选择。无论是在功率管理、马达驱动还是一般电子应用中，DMP2170U-13都显示出其卓越的价值和应用潜力。