DCX51-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DCX51-13

商品编码: BM0084964699
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.672
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.672
--
50+
¥0.464
--
1250+
¥0.421
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

DCX51-13参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态停产晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A电压 - 集射极击穿(最大值)45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)63 @ 150mA,2V功率 - 最大值1 W
频率 - 跃迁200MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装SOT-89-3

DCX51-13手册

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无数据

DCX51-13概述

产品概述:DCX51-13

DCX51-13 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的 PNP 晶体管,广泛应用于电子电路设计中。凭借其出色的电气性能和高的工作温度范围,DCX51-13 适用于需要高效率和可靠性的应用场合。尽管该产品目前已停产,但其优良的工作特性和多功能的应用仍然让它成为电子设计师的优选之一。

1. 主要特性

  • 晶体管类型:DCX51-13 是一种 PNP 类型的晶体管,适合负载驱动和信号放大等应用。
  • 集电极电流 (Ic):该晶体管的集电极电流最大值为 1A,能够有效控制大功率负载。
  • 集射极击穿电压 (Vces):具有高达 45V 的最大集射极击穿电压,使其适用于多种电压环境。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的输入电流下,其饱和压降最大值为 500mV,这表明在高电流条件下保持良好的开关特性。
  • 截止电流 (ICBO):最大集电极截止电流仅为 100nA,显示出其优良的关断特性,适合低功耗应用。
  • DC电流增益 (hFE):在 150mA 和 2V 的条件下,其 DC 电流增益最小值为 63,保证了良好的放大能力。
  • 功率最大值:DCX51-13 支持的功率最大值为1W,适合中低功率应用。
  • 频率范围:具备高达 200MHz 的跃迁频率,支持高速信号处理。
  • 工作温度范围:可在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内工作,非常适合严酷环境下的应用。

2. 封装和安装

DCX51-13 采用 SOT-89 封装,并且是表面贴装型,为现代电子设备提供了适配性。SOT-89 封装较小的体积使其易于集成到高密度电路中,同时也提供了良好的散热性能。

3. 应用场景

由于 DCX51-13 的多项优异特性,该晶体管适合广泛的应用场景,包括但不限于:

  • 功率放大器:在音频和射频放大器中作为信号的驱动器。
  • 开关控制:用于电机驱动和灯光控制等开关应用。
  • 信号处理电路:尤其适合需要信号放大和处理的应用,如传感器前端放大和信号调理电路。
  • 电源管理:在电源转换和稳压电路中,作为开关元件进行负载的开关控制。

4. 设计注意事项

在使用 DCX51-13 时,设计师应注意以下几点:

  • 散热管理:尽管功率最大值为 1W,但在高电流工作情况下仍需做好散热处理,以防止工作温度超过 150°C。
  • 电源电压:确保电源电压不会超过 45V 的击穿电压,以延长器件的使用寿命。
  • 信号频率:在高速应用中,注意负载的特性,以实现最佳的响应时间和增益特性。

5. 总结

DCX51-13 是一款性能优越的 PNP 晶体管,提供了一系列出色的电气特性,适合多种高效的电子电路设计。尽管该产品已经停产,但其设计理念和特性仍对现代电子设计产生积极影响。设计师在选择替代品时,应综合考虑该器件的特性和特定应用需求,以确保电路的最佳性能。