MMBZ5221BS-7
MMBZ5221BS-7参数
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 容差 | ±5% |
| 配置 | 2 个独立式 |
MMBZ5221BS-7手册
MMBZ5221BS-7概述
产品概述：MMBZ5221BS-7 齐纳二极管阵列
MMBZ5221BS-7 是由著名半导体公司 DIODES（美台）生产的一款高性能齐纳二极管阵列。该产品采用 SOT-363 封装，专为表面贴装技术（SMT）设计，适用于现代电子设备的紧凑布局。MMBZ5221BS-7 包含两个独立的齐纳二极管，两者均提供稳压功能，标称齐纳电压为 2.4V，最大功率为 200mW，且具有 ±5% 的电压容差，确保了其在多种应用环境中的可靠性与稳定性。
基础参数
工作温度范围：-65°C ~ 150°C. 这一广泛的工作温度范围使得 MMBZ5221BS-7 适用于极端环境条件，非常适合在工业设备、汽车电子及航天等领域的应用。
最大阻抗 (Zzt)：30 Ohms. 较低的阻抗特性提高了电路的稳定性，减少了对其他元件的干扰。
反向泄漏电流 (Ir)：在 1V 的条件下，反向泄漏电流为 100µA。这一特性在保持较低功耗的同时，确保了有效的电压稳压能力。
正向电压 (Vf)：900mV @ 10mA。良好的导通特性使其在正向导通时表现优秀，能够有效地保护电路元件免受过电压影响。
齐纳电压 (Vz)：2.4V。此电压范围非常适合于各种稳压、过压保护和电压基准等应用。
最大功率 (Pmax)：200mW. 这一功率输出确保了该二极管能够在特定的电流和电压条件下有效工作，适用于各种微型电源管理电路。
容差：±5%，确保其在广泛的应用电路中能够提供准确的稳压。
功能与应用
MMBZ5221BS-7 齐纳二极管阵列设计的主要目的是提供电压稳压和保护功能。它在电子设备中应用广泛，尤其是用于下列场景：
电源管理：利用齐纳二极管的稳压特性，MMBZ5221BS-7 可用于为敏感的电子元件提供稳定的工作电压，防止电压波动造成的损伤。
信号保护：在信号路径内使用齐纳二极管，可有效限制信号电压的峰值，从而保护后级电路不受瞬时过电压的影响。
基准电压源：使用 MMBB5221BS-7 制作基准电压电路，为其他电路提供稳定的参考电压。
低功耗应用：其优秀的导通特性和低反向泄漏电流，使得该产品特别适合于低功耗电子设备，如移动设备、可穿戴设备和传感器等。
封装与安装
MMBZ5221BS-7 使用了 SOT-363 封装，这种小型封装不仅占用空间小，也简化了自动化生产和装配过程，降低了生产成本。由于采用表面贴装技术，该封装能够支持更高的组件密度，从而适应现代电子产品对小型化和高性能的迫切需求。
总结
MMBZ5221BS-7 是一款功能强大且灵活的齐纳二极管阵列，其特点包括宽广的工作温度范围、出色的电压稳定性及良好的功耗管理，可以广泛应用于多种电子设备中。无论是电源管理、信号保护还是作为基准电压源，MMBZ5221BS-7 都展现出其优越的性能和高可靠性，是各类电子设计师的理想选择。