BZX84C11Q-13-F
BZX84C11Q-13-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 11V | 容差 | ±5.45% |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 8V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
BZX84C11Q-13-F手册
BZX84C11Q-13-F概述
BZX84C11Q-13-F 产品概述
产品简介
BZX84C11Q-13-F 是一款由 DIODES（美台）制造的表面贴装齐纳二极管，具有稳定的齐纳电压和高度可靠的性能。其主要应用于电压调节、过压保护和参考电压的生成，适用于各种电子设备和电路设计。
关键参数
齐纳电压 (Vz): 本产品的标称齐纳电压为11V，适用于需要在该电压水平进行稳压和保护的电路设计。齐纳二极管可以有效控制电压，防止因电压波动而导致的电路损坏。
容差: BZX84C11Q-13-F 的电压容差为±5.45%，意味着它在实际应用中能够提供相对精确的电压稳定性，降低了设计风险。
功率最大值: 该二极管的最大功率为300mW，能够承受一定程度的热量而不会发生失效，这使得其在高功率负载下的应用表现良好。
阻抗 (Zzt): 最大阻抗为20 Ohms，低阻抗特性可以促进更快的响应时间，改善电路的稳定性和性能。
反向泄漏电流: 在8V时，反向泄漏电流为100nA，具有极低的泄漏电流，这对于高精度应用尤为重要，能够有效降低功耗，优化整体能效。
正向电压 (Vf): 在10mA电流下，正向电压为900mV，使得该器件在大多数数字和模拟电路中的兼容性良好。
工作温度范围: BZX84C11Q-13-F 的工作温度范围为-65°C至150°C，此广泛的温度范围确保了该二极管能够在严苛环境下稳定工作，适合航空、汽车和工业应用。
安装类型和封装: 此器件采用表面贴装 SOT-23 封装，体积小巧，适合于高密度电路板设计，提高了设计的灵活性和集成度。
应用领域
BZX84C11Q-13-F 在多种电子应用中都有着广泛的用途，具体包括但不限于以下几个领域：
电源管理: 在电源电路中作为过压保护和电压稳压器使用，确保设备在不正常电压情况下的安全运行。
信号调节: 作为参照电压源应用于音频、视频信号处理，提升信号质量和稳定性。
线路保护: 在通讯和数据线路设计中，防止电压峰值损坏敏感元件，确保系统的可靠运行。
消费电子: 广泛应用于智能手机、平板电脑、家用电器等消费类电子产品中，保证设备稳定和安全的工作。
总结
BZX84C11Q-13-F 齐纳二极管具备了高稳定性、可靠性和多功能性，是一款理想的电子元器件。作为表面贴装型组件，其安装方便，适合现代电子设备的高密度生产需求。凭借其优越的电气特性和广泛的应用场景，BZX84C11Q-13-F 在电源管理、数据通信及信号处理领域中，有效提升了电路的性能，确保了工具的安全和效率。无论是在工业、消费电子还是汽车行业，其都表现出了优秀的应用潜力，是设计工程师们值得信赖的选择。