MMSZ5251BQ-13-F
MMSZ5251BQ-13-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 22V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 370mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 29 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 17V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ5251BQ-13-F手册
MMSZ5251BQ-13-F概述
MMSZ5251BQ-13-F 产品概述
一、产品简介
MMSZ5251BQ-13-F 是由著名电子组件制造商 DIODES（美台）生产的一款齐纳二极管。作为表面贴装型（SMD）器件，该电压稳压装置常用于电子电路中，以实现电压的稳压与过压保护。其标称齐纳电压为22V，具有±5%的容差，能够可靠地提供稳定的参考电压。
二、主要特性
齐纳电压（Vz）：该器件的标称齐纳电压为22V，适用于需要22V稳压的应用场景。其容差为±5%，能够保证电流波动或温度变化下的 voltage稳定性，满足大多数电路设计需求。
功率处理能力：MMSZ5251BQ-13-F 的最大功率为370mW，使其能够在一定的负载情况下工作而不会发生损坏。此特性使得该二极管适合广泛的应用，如电源管理及电平转换等。
动态阻抗（Zzt）：该二极管在工作时的最大动态阻抗为29Ω，能够有效降低对负载变化的敏感度，确保电压输出稳定。
反向泄漏电流：在17V时，该器件的反向泄漏电流为100nA，这一极低的泄漏电流使其在高精度应用中成为理想选择，避免不必要的电能损耗。
正向电压（Vf）：在10mA的条件下，该器件的正向电压为900mV。这个参数对于需要精确定义信号路径的应用尤其重要，可确保信号的有效传输。
工作温度范围：MMSZ5251BQ-13-F 的工作温度范围为-65°C至150°C，适应性极强，非常适合在严酷的环境中使用如汽车电子、工业控制及消费电子设施等。
安装类型和封装：该器件采用SOD-123封装，表面贴装设计使其易于在自动化生产线上进行装配，大大提高了生产效率，同时也节省了空间。
三、应用场景
MMSZ5251BQ-13-F 的设计使其在多个领域中具有广泛的应用潜力，包括：
- 电源管理：在电源电路中提供稳定的参考电压，保证电源输出的稳定性和可靠性。
- 信号调理：在信号处理电路中用于从电路中过滤噪声，确保信号的清晰度。
- 过压保护：可作为电子设备的保护元件，防止在电压突变时对后续组件造成损害。
- 通讯设备：用于在网络设备或其他通讯设备中提供必要的电压参考，确保信息稳定传递。
四、结论
总的来说，MMSZ5251BQ-13-F 是一款性能卓越、应用广泛的齐纳二极管，凭借其稳定的电压输出、低反向泄漏和宽工作温度范围，该器件非常适合当今电子设计的要求。无论是在消费类电子产品、工业应用还是汽车电子中，其优越的性能都将使设计师更好地满足功能和可靠性需求。选用MMSZ5251BQ-13-F，将为您的电路设计带来稳定性和灵活性。