DDTC125TE-7-F 产品实物图片
DDTC125TE-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC125TE-7-F

商品编码: BM0084964314
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.261
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.261
--
150+
¥0.186
--
1500+
¥0.158
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC125TE-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)200 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 50µA,500µA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTC125TE-7-F手册

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DDTC125TE-7-F概述

产品概述:DDTC125TE-7-F

1. 产品简介

DDTC125TE-7-F 是一款高性能 NPN 预偏压型晶体管,专为整流、开关和音频放大应用而设计。该器件由知名制造商 DIODES(美台)生产,以其优良的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等众多领域。

2. 主要技术参数

  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  • 基极电阻 (R1):200 kΩ
  • 最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,5V
  • Vce 饱和压降 (最大值):300mV @ 50µA,500µA
  • 最大集电极截止电流 (ICBO):500nA
  • 频率特性:250MHz 跃迁频率
  • 最大功率耗散:150mW
  • 安装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装类型:SOT-523

3. 性能特点

DDTC125TE-7-F 的设计使其在高频操作下仍能保持优良的性能,实现快速开关和有效衰减。该器件的最大集电极电流为 100mA,能够满足大多数低功率应用的需求。其宽广的频率特性使其适用于各种高频应用场合,尤其适合 RF 和音频信号处理。

在功率损耗方面,该晶体管的最大功率耗散达到 150mW,确保在高负载情况下,器件不会过热而导致损坏。此外,低饱和压降的特性(最大 300mV)使其在切换时具有较低的功率损耗,进一步提高了电路的能效。

4. 应用领域

DDTC125TE-7-F 适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源
  • 小信号放大器
  • 电动机驱动电路
  • 继电器驱动
  • 通信设备
  • 优化后的音频放大设备

其广泛的应用范围归功于其高增益特性以及稳定的工作性能,使得它在绝大多数中等功率和高频应用中都表现出色。

5. 封装与安装

DDTC125TE-7-F 采用 SOT-523 表面贴装封装。该封装设计具有小型化的优势,适合于高密度 PCB 布局,显著节省空间并提高了整体集成度。表面贴装型的特性也使得在生产过程中更加便捷,提高了生产效率,缩短了产品上市的时间。

6. 选购及注意事项

在选购 DDTC125TE-7-F 时,客户需注意以下几点:

  • 负载需求:确保最大集电极电流和电压不超过器件规格。
  • 频率特性:根据应用场景确定频率是否适配 250MHz 的跃迁频率。
  • 热管理:考虑工作时的功率损耗,适当设计散热形式以避免过热。
  • 兼容性:确保与其他电子组件的兼容性,如配套使用的电阻和电容值。

结论

DDTC125TE-7-F 是一款功能多样、性能优良的 NPN 晶体管,非常适合多种场合的要求,能够在多种电路设计中发挥重要作用。凭借其高效能与可靠性,该器件在现代电子产品开发中为设计师提供了更多的灵活性和选择。